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キーワード: 基地局, rfパワーアンプ, DS1847, DS1848
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要約：基地局のパワーアンプは、適切なRF性能が得られるようにバイアスをかける必要があります。このアーティクルでは、RF業界でよく採用される2種類のバイアス方法について説明し、その特性を分析するとともに、既存のICでバイアスを実現する方法を示します。
現在、基地局アンプに適していると言われるパワーデバイスは、このDMOS (LDMOS) MOSFETです。このアーティクルではこれを使ってバイアス技術を提示しています。
ご要望の資料はAcrobat PDF形式で入手可能です。
 アプリケーションノート3175：基地局用RFパワーアンプのバイアス (PDF, 20kB)
Acrobat PDF Readerは下記のアドレスから入手できます。
http://www.adobe.co.jp/products/acrobat/readstep.html
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APP 3175: Apr 27, 2004
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