要約：電圧制御発振器(VCO)技術の歴史は約1910年にまでさかのぼります。ここでは、RF ICにVCOを組み込んだ例を示します。また、現時点に至るまでの技術、性能、およびサイズの進化について説明しています。さらに歴史と技術に基づいて今後の動向を予測します。 電圧制御発振器(VCO)は通常、周波数帯域の全体にわたってチューニングを必要とするワイヤレスシステムやその他の通信システムに実装されています。VCOは、さまざまな製造業者からさまざまなパッケージ形式と性能レベルで提供されています。今日の表面実装VCOや無線周波数集積回路(RFIC) VCOの技術遺産は、100年近く前に始まった設計開発から引き継がれたものです。VCO技術はその時期から進歩を続け、位相ノイズ特性やチューニングリニアリティの向上とともに回路の小型化を実現してきました。 Edwin Armstrongがヘテロダイン方式を発明した時期以降、発振器は必要不可欠な部品となりました[1]。この方式では、発振器が正弦信号を非線形のミキシング素子に供給し、その正弦信号に他の入力信号を乗算することで周波数変換を行います。Armstrongは、周波数変換を制御するためには、時間に対して正弦的に変化する安定した電圧(または電流)とそれに対応する周波数を発生する電子回路が必要であることに気付きました。同じ頃彼は、Audion (オーディオン)という初期の真空管を構成することで発振を実現できることを発見しました。初期のワイヤレストランスミッタに使用されていた単純で低機能なスパークギャップ使用の発振器に代わって、Armstrongは事実上世界初の電子発振器を発明しました[2]。 当時、Armstrongの起こした発振器の技術革新によって、スパークトランスミッタは急激にすたり、高性能の無線レシーバが生み出されることになりました。1910年代のArmstrongの発見から現代に至るまで、VCO技術は、真空管発振器からトランジスタ発振器、発振器モジュールのソリューション、ついには今日のRFICベースの発振器にまで進歩を遂げました。VCO技術の状況は再び急速に変化しつつあります。近い将来登場するシステムの多くは、基本的なトポロジや理論を除いて、初期の発振器とはかなり異なったものとなることでしょう。 Armstrongの発見は、まもなくして、Rober V.L. Hartleyが発明した発振器の回路トポロジによって改良が加えられました(図1)。Hartleyは真空管の技術に改良を加えて発振回路を発明しました。この発振回路では、誘導性のフィードバックを追加した増幅器として真空管を働かせることによって再生発振を行っています。発振器の周波数は、コイルのインダクタンスと回路の容量によって決まります。この回路は正弦信号の生成に飛躍的進歩をもたらしました。この回路の発明によって、コイルまたはコンデンサの値を変えるだけで、得られる周波数の範囲を大幅に拡大することができるようになりました。Hartleyの発振回路はトランスミッタに広く普及し、第1次世界大戦で使えるように迅速に改良されました。この新しい真空管ベースの発振回路は、トランスミッタとレシーバの両方で利用されるようになりました。このように、発振回路の技術革新が普及した結果、今日でも使用されているHartley、Colpitts、Clapp、Armstrong、Pierceなどの主要な回路トポロジが生まれることになりました。 図1. Hartley発振器の例：(a)トライオードを実装、(b) JFETを実装 Armstrongのスーパーヘテロダインレシーバ方式は、入力信号と発振信号を混合して一定の中間周波数(IF)を出力する方式です。一定のIFを維持するには、入力信号の周波数が変化するとともに発振器の周波数も変化させる必要があります。可変周波数発振器では、RF入力信号の幅広い周波数範囲に対応して周波数変換回路をチューニングすることができるため、AM (振幅変調)ラジオのようなマルチチャンネル通信が実現しました。このような可変周波数発振器は、共振素子(インダクタまたはコンデンサ)の一方の値が変化する基本的な共振回路発振器を応用したものです。ほとんどの場合、コンデンサが変化します。高性能の可変コンデンサは、連動式多重プレート金属エアギャップ型コンデンサで構成されています。無線技術が発達するにつれ、発振回路の実装における革新技術が次々に生まれました。技術者は多種多様のコイル、可変コンデンサ、フィードバック技法、及び真空管を開発し、発振器と周波数変換回路の実装に使用しました。また、ラジオの前面のダイヤルで発振器の周波数を精密かつ高品質にチューニングするための綿密で斬新な方法が数多く考案されました。図2の写真は1929年型のHartley式のトランスミッタを再現したものです(アマチュア無線愛好家W9QZによって再現)。大半の初期の電子回路の実装に言えることですが、この回路も大型な上に高価で、高電源電圧を必要としました。 図2. 1929年型のHartley式トランスミッタ 真空管発振器は長年、AMラジオやFM (周波数変調)ラジオ、テレビ、及び軍事用の音声通信など、民間及び軍事用の無線レシーバ用途に幅広く利用されてきました。しかし、トランジスタやバラクタダイオードのような半導体増幅器の発見によってVCO技術に第2の大変革が起こりました。世界初のバイポーラトランジスタは1940年代後半にベル電話研究所(ニュージャージー州ホルムデル)によって発見されました。トランジスタは1950年代には真空管に代わって使用され始めています。この新しいトランジスタは真空管に比べて小型で消費電力が少なく、また動作に必要な電圧が低いため、結果としてコスト削減となりました。トランジスタが発振器の能動素子として真空管に取って代わることになり、発振器のトポロジを決定する実際の実装に大きな変化をもたらしました。 バラクタダイオード(逆バイアスが加えられたPN接合によって生じる電圧可変容量を備えたダイオード)の登場は、おそらくトランジスタよりもVCOの方向付けに与えた影響が大きかったといえます。1960年代初期には、バラクタ技術に関する研究がさかんに行われ、バラクタはVCOの可変容量素子として機械的な調整部品に取って代わり急速に普及しました。バラクタは、PLL (phase-locked-loop)回路の開発で周波数源の電子制御を正確に行うために不可欠なものとなりました。この時期のテレビの急成長は、バラクタとトランジスタベースのVCOへの移行に拍車をかけました。この結果、固有な電子調整機能と周波数範囲の簡単な再設定機能を備えた、低コスト、低電力、かつ高性能なVCOが実現しました。ディスクリートトランジスタとバラクタベースのVCOは1960年代から1980年代にかけて電子設計の主流となりました。しかし1980年代には、モジュール方式とモノリシックVCO集積回路(IC)という2つの新しい技術がVCOの開発に影響を及ぼすようになりました。図3は過去80年のVCO技術の進歩を示した対照年表です。 図3. VCO技術の対照年表 バラクタ、コンデンサ、及びインダクタの小型化が進むにつれてモジュール型のVCOが可能になりました。VCOモジュールは、実質的にはディスクリート部品で構成された発振器の小型版で、金属製ハウジングに取り付けられた基板上に構築されています。このモジュールは自己完結型であるため、モジュールに求められる要件は、グランド接続、電源電圧、同調電圧、及び出力負荷だけです。このようなモジュールは1960年代に主に軍事用途として初めて登場しました。当時のモジュールは数平方インチもある、かなり大型で高価なものでした。ただし、市販の製品には依然としてディスクリートトランジスタとバラクタによるVCO実装が使用されていました。VCOモジュールの市場が形成されるのは、携帯電話が登場してから以降のことです。 ディスクリートVCOは任意の周波数範囲と同調範囲にカスタム設計できましたが、部品のばらつきを補正するため、製造時に多大な労力を費やして周波数設定素子を調整する必要がありました。さらに、ディスクリートVCOでは、放射を最小限に抑えてプリング効果を削減するために適切なシールド手段が必要でした。しかし、1980年後期と1990年代初期に携帯電話の売上が増加するにつれて、発振器の｢超小型｣モジュールの需要が増加しました。日本企業の中には、ますます小型化の技術を身につけて、携帯電話向けの小型で費用対効果の大きいVCOモジュールを開発する企業も現われました。新しいワイヤレスアプリケーションが登場すると同時に、VCOモジュールの製造業者は、各アプリケーションに独自の周波数配列を備えた製品を開発しました。また、表面実装素子の小型化が段階的に実現されるごとに(1206、0805、0603、0402、0201)、さらに小型化された低コストの新しいVCOモジュールが開発されました。図4は、もはや一般的となった最先端の技術を駆使した市販VCOモジュールのサイズ縮小化の推移を示しています。今日、これまで重ねてきた改良は、ついには小型(4 x 5 x 2mm)モジュールに凝縮され、量産では約1ドル(US)の価格を実現しています。この15年周期のVCOモジュール容積の縮小は、驚くべき大幅なサイズ縮小を実現し、セルラ電話などの新しいモバイルワイヤレス機器に要求される厳しいスペースの制限を満たしてきました。しかし、それでもなお小型化と費用対効果の向上を求めてVCO技術が進められ、1990年代末にはモノリシックVCO IC技術が登場しました。 図4. VCOモジュールのサイズ縮小化の推移 モノリシックIC VCO技術は、LC VCOの回路要素であるトランジスタ、コンデンサ、抵抗器、インダクタ、及びバラクタダイオードのすべてが1つのチップに内蔵されたVCOの実装技術と定義されます。このデバイスは、VCOモジュールと同様に、完全なVCOを作成できるように構成されています。これらの素子の要件は、電源、グランド、出力、チューニング入力、及びすべてのデジタル制御ラインへの接続だけです(電圧制御リング発振回路は、位相ノイズ特性が劣っており大半の無線システムで使用できないため、ここで定義されているVCOからは除かれています)。最初のモノリシックVCO ICは、ガリウム/ヒ素(GaAs) IC技術とモノリシックマイクロ波集積回路(MMIC)の開発と同時期に登場しています。モノリシックVCOは、MMICの民間用及び軍事用でのアプリケーションの研究(米国のDARPAによるMIMICプログラムが大部分を出資)が精力的に進められた1980年代初期の論文1-2で紹介されています。初期のMMIC VCOは、2インチ直径のウェハを使用してGaAs ICプロセスで製造されました。しかし、MMIC VCOはサイズの効率化には特別に対応していなかったため費用対効果は望めませんでした。これらのVCOは一般的に、対象のアプリケーション、衛星レシーバ、及びレーダーシステムに適合した数GHzの周波数で動作します。 初期のモノリシックGaAs VCOの大部分は、DARPAによるMIMICの研究の一環として開発され、一般市場にはあまり影響を与えませんでした。1980年代は、シリコンIC技術はまだ低周波数にしか対応していなかったため、周波数がGHz帯のモノリシックVCOに必要な帯域幅を満たしていませんでした。しかし、1990年代までにはシリコンIC技術は、十分に高い遷移周波数 (fT)と適切なモノリシック部品(高Qインダクタ、高周波数コンデンサ、バラクタダイオード)で進歩を遂げ、高周波数のシリコンモノリシックVCOの開発に対応することができるようになりました。このようにして、ワイヤレス市場は、著しく拡大/発展し、帯域幅が800MHz～2500MHzの低コストなVCOの需要を促進するまでに成長しました。 これまでは、大半の市販用の無線システムはかなり低い周波数で動作していたため、モノリシックVCO ICの構築は実用的ではありませんでした。チップ内のインダクタの値が大きすぎたからです。シリコンモノリシックVCO ICは1992年のカリフォルニア大学バークレー校によって発表された技術論文で初めて紹介されました3。このVCOは、技術的にはこれまでのモノリシックシリコンVCO IC技術を実装したものでしたが、使用されたトポロジは、2つの個別の共振回路の間を電気的に｢補間｣することによって周波数を変化させるという今までにない斬新なものでした。カリフォルニア大学バークレー校によるこの業績とその後のRobert Meyer教授と大学院生たちによる研究は、モノリシックVCOの研究がさかんに行われる時代の先駆けとなりました。 シリコンモノリシックVCO ICの開発は、1995年までに主要な大学の研究者によって技術論文として報告されています4-5。これらの報告では、最新のモノリシックLC (インダクタンス-容量)共振器VCO ICの例がいくつか公表されました。1996年から1997年まで、膨大な数の技術論文が発表され、モノリシックVCOのさまざまな実装方法についての研究が報告されました6-11。市販のモノリシックVCO ICはこの期間に事実上登場したものです。モノリシックVCO ICは、高周波数バイポーラトランジスタIC技術とシリコンCMOS IC技術の両方において開発されました。大学研究機関の研究者たちは通常、CMOS技術を使用して広範に入手可能なIC技術を利用しましたが、産業界の研究者たちは、RFIC向けのバイポーラ/BiCMOSプロセス技術を使用しました。図5は、CMOSとバイポーラ/BiCMOSプロセス技術の両方で実装されたモノリシックVCO回路の一般的な例を示しています。 図5. MOS及びバイポーラを使用したモノリシックVCOコア回路の一般例 これらの初期のVCO IC実装の全体的な性能は、一般的にディスクリート実装やVCOモジュールよりも劣っています。特に、位相ノイズとチューニング特性は、ディスクリート設計またはVCOモジュールで通常得られる機能よりも劣っていました。この主な原因は、当時のIC技術では、低Qインダクタと性能の低いバラクタダイオードしか一般的に入手できなかったからです。 しかし、モノリシックVCOは、極めて小型で、費用対効果が高く、RFトランシーバ機能と同じ実装プロセスで使用可能なことが明らかになりました。つまり、ミキサ、低ノイズアンプ(LNA)、及びPLL (phase-locked-loop)など、その他のRF/IF機能にVCOを組み込むことが可能であるということです。他のレシーバ及びトランスミッタ機能に低コストでVCOを組み込む技術はモノリシックVCO ICの商品化の実現に貢献しました。初期の功績の1つに、900MHzスペクトラム拡散コードレス電話のチップセットの商品化があります12。 1990年代後半に、VCO IC技術の研究は著しく増大しました13-19。これは、ワイヤレス市場の大幅な進展と高周波数バイポーラ、CMOS、及びBiCMOSプロセス技術の普及の拡大が大きな要因となっています。重要な研究と開発が産業界と大学/研究機関の両方で進められました。研究者たちはオンチップでの位相ノイズ性能の向上、動作周波数の拡張、VCOの同調範囲の調整など、性能向上に有効な項目に焦点を当てました。これらの性能向上の結果、VCOは、コードレス電話、Bluetooth、WLAN、GPS、及びDBSの各アプリケーション向けのRFICに使用できる電気的仕様を満たすことができました。表1はモノリシックVCOを含むRFIC商品の一覧です。 表1. モノリシックVCOを内蔵したRFIC商品の例 Unit Frequency Range Source Application MAX2622-24 855-998MHz Maxim general purpose 900MHz ISM MAX2750-53 2025-2500MHz Maxim general purpose 2.4GHz ISM band MAX2754 1145-1250MHz Maxim 2.4GHz cordless phones MAX2115 925-2175MHz Maxim DBS MAX2900 902-928MHz Maxim 900MHz ISM band (wireless meter reading) MAX2820 2400-2500MHz Maxim 802.11b WLAN RF105 902-928MHz Conexant 900MHz cordless phones SA2400 2400-2500MHz Philips 802.11b WLAN BlueCore-01 2400-2500MHz CSR Bluetooth TRF 2400-2500MHz TI Bluetooth GRF2i/LP 1575MHz SiRF GPS AR5111 5.2-5.8GHz Atheros 802.11a WLAN 上記のVCO ICとその統合ソリューションは、VCOモジュールよりも小型で低コストで、またディスクリートソリューションよりもすばやく簡単に応用することができます。モノリシックVCOはこれまでの技術に比べて大幅な価値向上が得られました。この世代のVCO技術の性能は、コードレス電話、ワイヤレスデータ無線機、DBSレシーバのようなシステムの要件を満たしています。このため、これらのシステムで広く使用されています。しかし、位相ノイズ性能は、ノイズが大きすぎるため(5dB～10dB)、高データレートのモバイル電話システム(GSM、IS-136、CDMAなど)の要件を満たすには現時点では不十分です。低インダクタQ値と過剰なバイアスノイズが、VCOの位相ノイズ特性に制限を加えている原因です。一部の研究者はボンドワイヤインダクタを使用することで改善の余地があることを実証していますが、低位相ノイズ性能についてはまだ解明されておらず、モノリシックVCO IC技術での実現は困難です。しかし、これも一時的な状況といえます。この3年間(1999～2001年)、VCO設計の著しい進歩が報告されており、将来の明確な方向性を示唆しています。 主な動向 モノリシックVCOの位相ノイズ特性の向上に影響を与えるいくつかの動向を以下に挙げます。まず基本的なRFICプロセス技術の向上です。また、半導体プロセスのQ (Quality factor)値が増大し、さらに能動及び受動素子の性能も改善されています。シリコンプロセスによっても、50GHzを超えるfT性能のトランジスタが製造可能となり、また高Qバラクタダイオードが広い容量比の同調範囲(低直列抵抗)で入手できるようになりました。これらのプロセス技術は、より厚みのある金属被覆と高Qインダクタを備えた低損失の基板を特長としています。また、これらのプロセス技術では寄生成分の少ない素子を生成することが可能なため、VCOの位相ノイズの低減、動作周波数の拡大、及び低電流動作を実現することができます。 設計技術も進歩しています。VCO研究者は、IC技術の力を利用してさらに精密な回路を設計することで性能向上を図っています。これらの研究者は、以前のディスクリートVCOまたはモジュールVCOの実装では実用化が不可能であった技術を導入しています。たとえば、差動発振器トポロジ、振幅制御、第2高調波トラップ、カップリング改善のためのICトランス、マルチ発振器によるトポロジ、及び高周波数動作を実現するアーキテクチャなどがあります。 また、設計エンジニアのVCO理論への理解もさらに深まっています。Van der PolやLeesonの方程式のような過去の数学モデルに基づいて、発振器の動作(同調特性や位相ノイズ性能など)の新しい解析式を考案しています。たとえば、Abidiの関係式を使ってLeesonのノイズ方程式の修正が進められています。さらに、パーソナルコンピュータやワークステーションコンピュータの処理能力が向上するにつれて、CAE (computer-aided-engineering)ツールも強力になり高性能化が進んでいます。エンジニアはこの機能を利用してVCO動作モデルの実験を行い性能拡張の実現のために努めています。 モノリシックVCO技術は数多く登場する新製品に次々に応用されており、中でも高品質のVCOはトランシーバの回路に実装されています。たとえば、WLAN及びBluetoothの市場向けの最新のトランシーバには、RFトランシーバICにVCOが組み込まれ、ディスクリート部品に比べて大幅なサイズ縮小化を実現しています。また、さらに高性能なWLAN無線機(2.4GHz IEEE 802.11b及び5GHz 802.11aバージョン)では、必要なパケットデータレートとブロッキング性能レベルを満たす必要があるため、システム要件として、位相ノイズが非常に低い特に高性能のVCOが求められます。 RFIC VCO技術の進歩によって、これらの内蔵デバイスは、増大するRFアプリケーション製品にとってますます魅力的なものとなっています。代表的なRFアプリケーションとしては、衛星レシーバ、CATVのセットトップボックス、ワイヤレスデータアプリケーション、コードレス電話、及びモバイル電話などがあります。モノリシックVCOが、ディスクリートやモジュールVCOのソリューションに比べて量産アプリケーション市場での占有率を拡大しつつあることは明らかです。モノリシックVCOが量産ワイヤレスシステムにおける発振器手法の主流となる時代は間近でしょう。VCOは、大型の真空管を用いた回路から、1ミリ四方未満のシリコンに至るまで著しい発展への道を歩んできたのです。 参考資料 B.N. Scott and G.E. Brehm. Monolithic Voltage Controlled Oscillator for X- and Ku-bands. IEEE Trans. Microwave Theory & Tech., Vol. MTT-30, No. 12, December 1982, pp. 2172-2177. B.N. Scott, M. Wurtele and B.B. Cregger. A Family of Four Monolithic VCO MIC's Covering 2-18GHz. Monolithic Circuits Symposium Digest, 1984, pp. 54-61. N.M Nguyen and R.G Meyer. A 1.8GHz Monolithic LC Voltage-Controlled Oscillator. IEEE JSSC, Vol. 27, March 1992, pp. 444-450. P. Basedau and Q. Huang. A 1GHz, 1.5V Monolithic LC Oscillator in 1um CMOS. In Proc. of 1994 European Solid State Circuits Conference; Ulm, Germany, Sept. 1994, pp. 172-175. J. Craninckx and M. Steyaert. Low-Noise Voltage Controlled Oscillators Using Enhanced LC-tanks. IEEE Trans. Circuits and Sys. -II, Vol. 42, Dec. 1995, pp. 794-804. M. Soyuer, K.A. Jenkins, J.N. Burghartz and M. D. Hulvey. A 3V 4GHz nMOS Voltage-Controlled Oscillator With Integrated Resonator. IEEEJ. Solid State Circuits, Vol. 31, Dec. 1996, pp. 388-389. B. Razavi. A 1.8GHz CMOS Voltage-Controlled Oscillator. In ISSCC Dig. Tech. Papers, 1997, pp. 390-391. Reference 9. L. Dauphinee, M. Copeland and P. Schvan. A Balanced 1.5GHz Voltage-Controlled Oscillator With an Integrated LC Resonator. In ISSCC Dig. Tech Papers, 1997, pp. 390-391. A. Ali and J.L. Tham. A 900MHz Frequency Synthesizer With Integrated LC Voltage-Controlled Oscillator. In ISSCC Dig. Tech. Papers, 1996, pp. 390-391. B. Jansen, K. Negus and D. Lee. Silicon Bipolar VCO Family For 1.1-2.2GHz With Fully Integrated Tank and Tuning Circuits. In ISSCC Dig. Tech Papers, 1997, pp. 392-393. M. Zannoth, B. Kolb, J. Fenk, and R. Weigel. A Fully Integrated VCO at 2GHz. IEEEJ. Solid-State Circuits, Vol. 33, Dec. 1998, pp. 1987-1991. P. Kinget. A Fully Integrated 2.7V 0.35um CMOS VCO for 5GHz Wireless Applications. In ISSCC Dig. Tech. Papers, 1998, pp. 226-227. T. Liu. A 6.5GHz Monolithic CMOS Voltage-Controlled Oscillator. In ISSCC Dig. Tech. Papers, 1999, pp. 401-405. C. Lam and B. Razavi. A 2.6GHz/5.2GHz CMOS Voltage Controlled Oscillator. In ISSCC Dig. Tech. Papers, 1999, pp. 402-403. D.B. Leeson. A Simple Model of Feedback Oscillator Noise Spectrum. Proceedings of the IEEE, Vol. 54, Feb. 1966, pp. 329-330. A. Hajimiri and T.Lee. A General Theory of Phase Noise in Electrical Oscillators. IEEE JSSC, Vol. 33, No. 2, Feb. 1998, pp. 179-194. A. Hajimiri and T. Lee. Design Issues in CMOS Differential LC Oscillators. IEEE JSSC, May 1999. C. Hung and K. O. Kenneth. A Packaged 1.1GHz CMOS VCO With Phase Noise of -126dBc/Hz at a 600KHz offset. IEEEJ. Solid-Stated Circuits, Vol. 35, Jan. 2000, pp. 100-103. 注 ヘテロダイン方式は、時間領域において2つの信号を乗算することで周波数領域において周波数偏移を生み出す方式として定義されています。この方式は、ワイヤレスシステムでの信号の周波数変換の基礎技術となるものです。 当時、Edwin ArmstrongとLee DeForestは、レシーバの再生回路の研究を行っていました。これらの再生回路により、世界初の発振器が作られました。 本記事に類似した内容が、2002年7月発行の｢Microwave and RF (マイクロ波及びRF)｣という雑誌に掲載されています。 AtherosはAtheros Comminucations, Inc.の登録商標です。 BluetoothはBluetooth Sig, Inc.の登録商標です。 ConexantはConexant Systems, Inc.の商標です。 IEEEはInstitute of Electrical and Electronics Engineersの登録サービスマークです。 TIはTexas Instruments Incorporatedの登録商標です。 WiMAXはWiMAX Forumの商標です。 フィードバックをお寄せください。 内容に満足されましたか、あるいは満足されていませんか？もっと良いページにできると思いますか？あるいは、単なるコメントでも結構です。フィードバックをお待ちしています。—マキシムはお客様からいただく訂正、提案を元に改善していきます。 このページを評価し、フィードバックを送信する。 自動アップデート お客様が関心のある分野でアプリケーションノートが新規に掲載された際に自動通知Eメールの受信を希望する場合は、EE-Mail™にご登録ください。 その他の情報   APP 1768: Feb 23, 2004 MAX2622 モノリシック電圧制御オシレータ フルデータシート (PDF, 304kB) 無料 サンプル MAX2624 モノリシック電圧制御オシレータ フルデータシート (PDF, 304kB) 無料 サンプル MAX2750 2.4GHz、モノリシック電圧制御オシレータ フルデータシート (PDF, 120kB) 無料 サンプル MAX2753 2.4GHz、モノリシック電圧制御オシレータ、差動出力付 フルデータシート (PDF, 128kB) MAX2754 1.2GHz、リニアモジュレーション入力付VCO フルデータシート (PDF, 152kB) 無料 サンプル MAX2820 2.4GHz、802.11bゼロIFトランシーバ フルデータシート (PDF, 608kB) 無料 サンプル MAX2900 868MHz/915MHz ISMバンド用、200mWシングルチップトランスミッタIC フルデータシート (PDF, 416kB) 無料 サンプル   ダウンロード、PDFフォーマット (98kB)  AN1768, AN 1768, APP1768, Appnote1768, Appnote 1768