要約：基地局のパワーアンプは、適切なRF性能が得られるようにバイアスをかける必要があります。このアーティクルでは、RF業界でよく採用される2種類のバイアス方法について説明し、その特性を分析するとともに、既存のICでバイアスを実現する方法を示します。 現在、基地局アンプに適していると言われるパワーデバイスは、このDMOS (LDMOS) MOSFETです。このアーティクルではこれを使ってバイアス技術を提示しています。 アプリケーションノートはAcrobat PDFフォーマット形式で提供されています。 アプリケーションノート 3175：基地局用RFパワーアンプのバイアス(PDF, 67kB) Acrobat PDF Readerは下記のアドレスから入手できます。 http://www.adobe.co.jp/products/acrobat/readstep.html 関連製品   APP 3175: Apr 27, 2004 DS1847 デュアル温度制御NV可変抵抗 フルデータシート (PDF, 272kB) 無料 サンプル DS1848 デュアル温度制御NV可変抵抗およびメモリ フルデータシート (PDF, 264kB) 無料 サンプル 自動アップデート お客様が関心のある分野でアプリケーションノートが新規に掲載された際に自動通知Eメールの受信を希望する場合は、EE-Mail™にご登録ください。 We Want Your Feedback! フィードバックをお寄せください。 内容に満足されましたか、あるいは満足されていませんか？もっと良いページにできると思いますか？あるいは、単なるコメントでも結構です。フィードバックをお待ちしています。—マキシムはお客様からいただく訂正、提案を元に改善していきます。 このページを評価し、フィードバックを送信する。   ダウンロード、PDFフォーマット(67kB)  AN3175, AN 3175, APP3175, Appnote3175, Appnote 3175