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高周波ASIC
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SiGeミックスドシグナルおよびRF ASIC技術
マキシムのSiGe (シリコンゲルマニウム)プロセスの特長
- カスタマ設計によるRF ASIC
- ファウンドリサービス
- 5種類のSiGeプロセス！
- 第4世代のSiGe技術
- NREを低く抑えるSiGe QuickChip™
マキシムは、コンプリメンタリバイポーラ、バイポーラ、BiCMOS、SiGe (シリコンゲルマニウム)、またはSiGe BiCMOSプロセス技術を利用して、独自に、高周波ASICのニーズを解決します。マキシムのRF ASICには、COT (Customer Owned Tooling)およびファウンドリサービスがあります。マキシムは以下のサービスを提供します：
- 1000以上のミックスドシグナルおよびRF ASICの実績
- 30年のASIC経験
- 最先端プロセス技術。5つのSiGe (シリコンゲルマニウム)プロセスから選択可能。
- 90％以上のファーストパスサクセス率を実現する高精度デバイスモデル
- フルカスタムまたはセミカスタム(QuickChip)の設計手法
マキシムのASICおよびファウンドリサービスについての詳細は、以下の分野から選択してご覧になることができます。
質問がありましたらにお問い合わせください。日本語で対応しています。
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