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プロセス技術およびウェハファブ
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BCDMOS
| 革新的なプロセス特性： |
- 超高電圧でありながら小型のトランジスタは最大250Vのブレークダウン電圧を提供します。
- 低オン抵抗(80Vでわずか0.6Ω-mm*2)によって、複数の低オン抵抗のパワーFETの集積化が可能になります。
- 金属2層配線は最大10Aまでの電流に対応します。
- シリコン回路上で薄膜抵抗やポリ-ポリコンデンサが組み合わされるため、高精度な基準電圧製品や高出力型アナログ製品のような高性能なアナログ機能を集積することができます。
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| アプリケーション |
- 高出力変換器
- テレコム、データ通信、車載電源
- コンピュータ用電源
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