 |
|
|
|
|
マキシム >
会社情報 >
プロセス技術およびウェハファブ
|
|
|
BiCMOS
| 革新的なプロセス特性： |
- 0.35µmルールのBiCMOSプロセスで、3.3V&##65374;30Vの定格電圧を持つデバイス。フラッシュメモリ、EEPROM、高精度な高電圧アナログ、およびロジック機能が単一のシリコンチップに集積化されます。
- CMOSとバイポーラプロセスが混載された回路設計上でノイズを最小限に抑える完全分離型のCMOSバイポーラアーキテクチャを採用し、同一チップ上に高密度なロジックと高精度アナログの集積化が可能です。
- バイポーラトランジスタやレーザトリミングが可能な薄膜抵抗器が搭載された高精度アナログ部品から0.5%以上の精度を有する基準電圧のような極めて正確なアナログ回路を構成することができます。
- 超高密度で、高抵抗薄膜抵抗器は最低静止電流を持つ製品を実現することができます。
- マキシムが保有するBiCMOSプロセスの多様な特長に匹敵する競合他社はありません。たとえば、マキシムでは同じシリコン基板上で高電圧用のコンポーネント、薄膜抵抗器、コンデンサ、不揮発性メモリ、およびバイポーラトランジスタのすべてを組み合わせることができます。
- 低誘電率（low-k)定数を持つ厚膜銅金属配線によって、パワーマネージメントアプリケーション向けの大電流駆動トランジスタの集積化が可能です。
- 最高レベルの精度を実現するためにパッケージ後のトリミングが採用されています。
|
| アプリケーション |
- 携帯電話およびPDA向け多機能型パワーマネージメント
- マルチ電圧パワーマネージメント
- 車載用パワーマネージメントデバイス
- スマートバッテリパック
- テレコムおよびデータ通信カード用電圧レギュレータ
- 医療機器用高精度A/Dコンバータ
|
|
|
|
|
|
|
|
