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SiGeバイポーラ/BiCMOS

革新的なプロセス特性：

業界で最も豊富な高性能SiGeバイポーラ素子および受動素子の組み合わせが、単一チップ上での全RFトランシーバなど、マルチGHz周波数帯のブロックダイヤグラム全体の集積化を可能にします。
受動素子は、たとえば　超高Qインダクタンスおよび高チューニング比のバラクタ等のRF用に最適化されており、超低位相ノイズが実現します。
薄膜抵抗器のレーザトリミングは、最適なオフセットを構成し、狭いVCO中心周波数および優れたS₂₂など、多くの仕様でばらつきを抑えることができます。
シリコン・オン・インシュレータ(SOI)は、高速回路向けに、非常に速い立上り時間を可能にし、ラッチアップ問題を起こす回路を排除します。
マキシムの自社ウェハ工場はCMOSの価格帯でシリコンゲルマニウムの性能を提供します。

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