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DS1225AB, DS1225AD
64k不揮発性SRAM
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ステータス
| 型番 |
ステータス |
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DS1225AB
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入手可能：製造中。詳細についてはオーダー情報をご覧ください。 |
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DS1225AD
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入手可能：製造中。詳細についてはオーダー情報をご覧ください。 |
製品概要
DS1225ABとDS1225ADは、65,536ビット(8192ワード x 8ビット構成)の完全スタティック不揮発性(NV) SRAMです。各NV SRAMは、リチウム電池と制御回路を内蔵し、これらによってVCCの許容範囲からの外れを常に監視しています。VCCが許容範囲から外れると、リチウム電池が自動的にオンになり、書込み保護が無条件に有効になってデータ破壊を防止します。NV SRAMは、通常のバイト長の28ピンDIP規格に適合した既存の8k x 8 SRAMと置換使用できます。また、このデバイスは、ピン配列が2764 EPROM、2864 EEPROMと同一なので、性能を向上させる際にそのまま置換使用できます。実行可能な書込みサイクル数に制限がなく、マイクロプロセッサとのインタフェースに対し回路を追加する必要がありません。
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データシート
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この製品にはリチウム金属電池が含まれています。 機器に組み込まれたバッテリの輸送規定については適用される規制を参照してください。
主な特長
- 外部電源なしで最低10年間データを保持
- 停電中は、データを自動的に保護
- 8k x 8揮発性スタティックRAM、EEPROMに置換え可能
- 無制限の書込みサイクル
- 低電力CMOS
- JEDEC規格準拠28ピンDIPパッケージ
- 70nsの読取り/書込みアクセス時間
- 電源初期投入まで、リチウム電池を電気的に切断
- 最大±10% VCCの動作範囲(DS1225AD)
- オプションとして、±5% VCCの動作範囲(DS1225AB)
- オプションとして、-40℃～+85℃の工業用温度範囲(INDのサフィックス)
- UL (Underwriters Laboratories)認定
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主な仕様：
| Memory (EPROM, EEPROM, ROM, NV SRAM) |
| Part Number |
Memory Type |
Memory Size |
Bus Type |
Real Time Clock |
DIP w/Int. Batt. |
Pwr. Cap Pckg. |
Battery Monitor |
GPIO |
VSUPPLY
(V) |
VSUPPLY
(V) |
Budgetary Price |
| min |
max |
See Notes |
| DS1225AB |
NV SRAM |
8K x 8 |
Parallel |
No |
Yes |
No |
No |
No |
4.75 |
5.25 |
$8.25 @1k |
| DS1225AD |
4.5 |
5.5 |
$7.65 @1k |
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全Memory (EPROM, EEPROM, ROM, NV SRAM) (58)
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Pricing Notes:
This pricing is BUDGETARY, for comparing similar parts. Prices are in U.S. dollars and subject to change. Quantity pricing may vary substantially and international prices may differ due to local duties, taxes, fees, and exchange rates. For volume-specific prices and delivery, please see the price and availability page or contact an authorized distributor.
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図
ピン配列
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情報インデックス
参考文献： 19-5625
Rev 4;
2010-11-09
このページの最終更新日： 2010-11-15
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