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DS1230AB, DS1230Y
256k不揮発性SRAM
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ステータス
| 型番 |
ステータス |
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DS1230AB
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入手可能：製造中。詳細についてはオーダー情報をご覧ください。 |
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DS1230Y
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入手可能：製造中。詳細についてはオーダー情報をご覧ください。 |
製品概要
256k不揮発性(NV) SRAMのDS1230は、262,144ビット(32,768ワード x 8ビット構成)の完全スタティック不揮発性SRAMです。各NV SRAMは、リチウム電池と制御回路を内蔵し、これらによってVCCの許容範囲からの外れを常に監視しています。VCCが許容範囲から外れると、リチウム電池が自動的にオンになり、書込み保護が無条件に有効になってデータ破壊を防止します。DIPパッケージのDS1230デバイスは、通常のバイト長の28ピンDIP規格に適合した既存の32k x 8スタティックRAMと置換使用できます。また、このDIPデバイスは、ピン配列が28256 EEPROMと同一なので、性能を向上させる際にそのまま置換使用できます。薄型モジュールパッケージで提供されるDS1230は、そのまま表面実装することができます。実行可能な書込みサイクル数に制限はなく、マイクロプロセッサとのインタフェースに対し回路を追加する必要がありません。
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データシート
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この製品にはリチウム金属電池が含まれています。 機器に組み込まれたバッテリの輸送規定については適用される規制を参照してください。
主な特長
- 外部電源なしで最低10年間データを保持
- 停電中は、データを自動的に保護
- 32k x 8揮発性スタティックRAM、EEPROM、またはフラッシュメモリに置換え可能
- 無制限の書込みサイクル
- 低電力CMOS
- 70nsの読取り/書込みアクセス時間
- 電源が初期投入まで、リチウム電池を電気的に切断
- 最大±10% VCCの動作範囲(DS1230Y)
- オプションとして、±5% VCCの動作範囲(DS1230AB)
- オプションとして、-40℃～+85℃の工業用温度範囲(INDと指定)
- JEDEC規格準拠28ピンDIPパッケージ
- PowerCapモジュール(PCM)パッケージ
- 直接表面実装可能なモジュール
- 交換可能なスナップ式PowerCapによりリチウムバックアップ電池を実装
- すべての不揮発性SRAM製品を考慮し標準化したピン配列
- 一般のスクリュードライバでPowerCapの取外しは容易
- UL (Underwriters Laboratories)認定
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主な仕様：
| Memory (EPROM, EEPROM, ROM, NV SRAM) |
| Part Number |
Memory Type |
Memory Size |
Bus Type |
Real Time Clock |
DIP w/Int. Batt. |
Pwr. Cap Pckg. |
Battery Monitor |
GPIO |
VSUPPLY
(V) |
VSUPPLY
(V) |
Budgetary Price |
| min |
max |
See Notes |
| DS1230AB |
NV SRAM |
32K x 8 |
Parallel |
No |
Yes |
Yes |
No |
No |
4.75 |
5.25 |
$8.54 @1k |
| DS1230Y |
4.5 |
5.5 |
$8.61 @1k |
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全Memory (EPROM, EEPROM, ROM, NV SRAM) (58)
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Pricing Notes:
This pricing is BUDGETARY, for comparing similar parts. Prices are in U.S. dollars and subject to change. Quantity pricing may vary substantially and international prices may differ due to local duties, taxes, fees, and exchange rates. For volume-specific prices and delivery, please see the price and availability page or contact an authorized distributor.
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図
ピン配列
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情報インデックス
参考文献： 19-5635
Rev 4;
2010-11-23
このページの最終更新日： 2010-11-23
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