128k x 16不揮発性SRAM

概要

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ステータス

全バージョンが製造を中止しています。推奨置換品についてはオーダー情報をご覧ください。

製品概要

128k x 16不揮発性(NV) SRAMのDS1258は、2,097,152ビット(131,072ワード x 16ビット構成)の完全スタティックNV SRAMです。各NV SRAMは、リチウムバッテリと制御回路を内蔵し、これらによってV_CCの許容範囲からの外れを常に監視します。V_CCが許容範囲から外れると、リチウムバッテリが自動的にオンになり、書込み保護が無条件に有効になりデータ破壊が防止されます。DIPパッケージのDS1258の各デバイスは、さまざまな個別部品の利用によってNV 128k x 16メモリを構成するソリューションの代りに使用できます。実行可能な書込みサイクル数に制限がなく、マイクロプロセッサとのインタフェースには回路の追加の必要はありません。

データシート

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この製品にはリチウム金属電池が含まれています。機器に組み込まれたバッテリの輸送規定については適用される規制を参照してください。

主な特長

外部電源なしで最低10年間データ保持
停電中のデータ自動保護
上位バイトと下位バイトを別々のチップにセレクト入力
無制限の書込みサイクル
低電力CMOS
高速70nsの読取り/書込みアクセス時間
電源初期投入まで、リチウムバッテリを電気的に切断
±10%の動作電圧範囲(DS1258Y)
オプションとして±5%の動作電圧範囲(DS1258AB)
オプションとして-40℃～+85℃の工業用温度範囲(INDのサフィックス)
UL (Underwriters Laboratories)認定

その他の情報

UL認定

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Rev 2; 2006-09-01
このページの最終更新日： 2007-06-18