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DS1345W
バッテリモニタ内蔵、3.3V、1024k不揮発性SRAM
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ステータス
| 型番 |
ステータス |
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DS1345W
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入手可能：製造中。詳細についてはオーダー情報をご覧ください。 |
製品概要
3.3V 1024k NV SRAMのDS1345Wは、1,048,576ビット(131,072ワード x 8ビット構成)の完全スタティック不揮発性SRAMです。各NV SRAMは、リチウムバッテリと制御回路を内蔵し、これらによってVCCの許容範囲からの外れを常に監視します。VCCが許容範囲から外れると、リチウムバッテリが自動的にオンになり、書込み保護が無条件に有効になってデータ破壊が防止されます。また、DS1345Wは、VCCのステータスと内蔵リチウムバッテリのステータスを監視するための専用回路を備えています。PowerCapモジュールパッケージのDS1345Wデバイスは、そのまま表面実装でき、通常はDS9034PC PowerCapとペアにして完全な不揮発性SRAMモジュールを構成します。このデバイスは、128k x 8 SRAM、EEPROM、またはフラッシュメモリの代替部品として使用できます。
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データシート
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主な特長
- 外部電源なしで最低10年間データ保持
- 無電源時データ自動保護
- VCCの起動中にVCCの電力損失が発生しプロセッサがリセット状態で、電源モニタはプロセッサをリセット
- バッテリモニタが残存容量を毎日チェック
- 100nsの読取り/書込みアクセス時間
- 無制限書込みサイクル可能
- 標準スタンバイ電流：50µA
- 128k x 8 SRAM、EEPROM、またはフラッシュメモリのアップグレード品
- 電源初期投入まで、リチウムバッテリを電気的に切断
- オプションの-40℃～+85℃の工業用温度範囲(INDのサフィックス)
- PowerCapモジュール(PCM)パッケージ
- 直接表面実装可能なモジュール
- 交換可能なスナップ式PowerCapによるリチウムバックアップバッテリ供給
- 全不揮発性SRAM製品で標準化ピン配列
- 一般のスクリュードライバでPowerCapは簡単に取外し可能
- UL (Underwriters Laboratories)認定
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主な仕様：
| Memory (EPROM, EEPROM, ROM, NV SRAM) |
| Part Number |
Memory Type |
Memory Size |
Bus Type |
Real Time Clock |
DIP w/Int. Batt. |
Pwr. Cap Pckg. |
Battery Monitor |
GPIO |
VSUPPLY
(V) |
VSUPPLY
(V) |
Budgetary Price |
| min |
max |
See Notes |
| DS1345W |
NV SRAM |
128K x 8 |
Parallel |
No |
No |
Yes |
Yes |
No |
3 |
3.6 |
$13.79 @1k |
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全Memory (EPROM, EEPROM, ROM, NV SRAM) (58)
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Pricing Notes:
This pricing is BUDGETARY, for comparing similar parts. Prices are in U.S. dollars and subject to change. Quantity pricing may vary substantially and international prices may differ due to local duties, taxes, fees, and exchange rates. For volume-specific prices and delivery, please see the price and availability page or contact an authorized distributor.
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図
ピン配列
その他の情報
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情報インデックス
参考文献： 19-5587
Rev 3;
2010-10-20
このページの最終更新日： 2010-10-20
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