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DS1350AB, DS1350Y

バッテリモニタ内蔵、4096k不揮発性SRAM

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ステータス 製品のステータスコードについての説明

型番 ステータス
DS1350AB 入手可能:製造中。詳細についてはオーダー情報をご覧ください。
DS1350Y 入手可能:製造中。詳細についてはオーダー情報をご覧ください。

製品概要

4096k不揮発性(NV) SRAMのDS1350は、4,194,304ビット(524,288ワード x 8ビット構成)の完全スタティックNV SRAMです。各NV SRAMは、リチウムバッテリと制御回路を内蔵し、これらによってVCCの許容範囲からの外れを常に監視します。VCCが許容範囲から外れると、リチウムバッテリが自動的にオンになり、書込み保護が無条件に有効になってデータ破壊が防止されます。また、DS1350は、VCCのステータスと内蔵リチウムバッテリのステータスを監視するための専用回路を備えています。PowerCapモジュールパッケージのDS1350は、そのまま表面実装することができ、通常はDS9034PCというPowerCapとペアにして完全なNV SRAMモジュールを構成します。このデバイスは、512k x 8 SRAM、EEPROM、またはフラッシュメモリの代替部品として使用できます。
 

データシート

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主な特長

  • 外部電源なしで最低10年間データを保持
  • 停電中データ自動保護
  • VCCの起動時VCCの電力損失が発生しプロセッサがリセット状態で電源モニタはプロセッサをリセット
  • バッテリモニタが残存容量を毎日チェック
  • 70nsの読取り/書込みアクセス時間
  • 無制限の書込みサイクル可能
  • 標準スタンバイ電流:50µA
  • 512k x 8 SRAM、EEPROM、またはフラッシュメモリのアップグレード製品
  • 電源初期投入まで、リチウムバッテリを電気的に切断
  • 最大VCC ±10%の動作範囲(DS1350Y)、またはオプションのVCC ±5%の動作範囲(DS1350AB)
  • オプションの-40℃~+85℃工業用温度範囲(INDと指定)
  • PowerCapモジュール(PCM)パッケージ
    • 直接表面実装可能なモジュール
    • 交換可能なスナップ式PowerCapによるリチウムバックアップバッテリ供給
    • 完全NV SRAM製品で標準化ピン配列
    • 一般のスクリュードライバでPowerCapは簡単に取外し可能
  • UL (Underwriters Laboratories)認定
   
   

主な仕様:

Memory (EPROM, EEPROM, ROM, NV SRAM)
Part Number Memory Type Memory Size Bus Type Real Time Clock DIP w/Int. Batt. Pwr. Cap Pckg. Battery Monitor GPIO VSUPPLY
(V)
VSUPPLY
(V)
Budgetary Price
min max See Notes
DS1350AB  NV SRAM 512K x 8 Parallel No No Yes Yes No 4.75 5.25 $51.73 @1k
DS1350Y  4.5 5.5 $51.73 @1k
全Memory (EPROM, EEPROM, ROM, NV SRAM) (58)
Pricing Notes:
This pricing is BUDGETARY, for comparing similar parts. Prices are in U.S. dollars and subject to change. Quantity pricing may vary substantially and international prices may differ due to local duties, taxes, fees, and exchange rates. For volume-specific prices and delivery, please see the price and availability page or contact an authorized distributor.


DS1350AB、DS1350Y:ピン配列
ピン配列

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情報インデックス

参考文献: 19-5585 Rev 3; 2010-10-20
このページの最終更新日: 2011-06-27




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