2k x 8、3V/5VオペレーションスタティックRAM

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2k x 8、3V/5V動作スタティックRAMのDS2016は、CMOS技術を使用して2048ワードx 8ビットで構成された16,384ビット、低電力、完全スタティックランダムアクセスメモリです。この製品は2.7V～5.5Vの電圧入力を備えた単一電源で動作します。チップイネーブル入力(アクティブローCE)がデバイス選択に使用され、最小スタンバイ電流モードを実現するために使用可能です。このモードによってバッテリの動作およびバッテリバックアップアプリケーションがスムーズになります。この製品は、5V電源入力から動作した場合100nsの高速アクセス時間を提供し、3V入力から動作した場合は250nsのアクセスという比較的優れた性能も提供します。このデバイスは2.7V～5.5Vの入力電圧範囲でTTLレベル入力および出力を維持します。DS2016は不揮発性向けバッテリ動作またはバッテリバックアップが必要な低電力アプリケーションに最適です。DS2016は、JEDEC規格2k x 8 SRAMで、同程度の密度のROMやEPROMとピンコンパチブルです。

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