64K不揮発性SRAM

型番	ステータス	推奨置換品	説明
DS1225Y	この製品は新規設計用に推奨されていません。入手不可(No Longer Available)または製造中止で最終購入(Last Time Buy)の対象となっているバージョンもあります。最終購入の対象となっているものについては新規の注文を受け付けることができません。詳細についてはオーダー情報をご覧ください。	DS1225AD	既存システム向けの代替ユニットはまだ入手可能です。製品タイプを置き換えないでください。 1) DS1220YおよびDS1225Yの書込み保護電圧(VTP)は内部分圧回路(～1.26 x VBAT)によって決まります。モジュールの内部バッテリが劣化すると、対応するVTPも劣化し、システムの電力損失に対するモジュールの応答が変化します。AB/ADバージョンには、バッテリとは独立した、高精度バンドギャップリファレンス電圧があります。 2) バッテリ搭載製品の保管および取扱いは、新モジュールの10年のデータ保持期間を実現するのに重要です。DS1220YおよびDS1225Yにはフレッシュネスシール(未使用保証)回路がなく、つまり、AB/ADバージョンのようにお客様の使用開始日からカウントされるのとは異なり、10年間保証は製造日より開始されます。

64K不揮発性SRAMのDS1225Yは、65,536ビット(8192ワードx 8ビット構成)の完全スタティック不揮発性RAMです。各NV SRAMは、リチウム電池と制御回路を内蔵し、これらによってV_CCの許容範囲からの外れを常に監視しています。V_CCが許容範囲から外れると、リチウム電池が自動的にオンになり、書込み保護が無条件に有効になってデータ破壊が防止されます。NV SRAMは、既存の8k x 8 SRAMの代りに使用でき、通常のバイト長の28ピンDIP規格にそのまま適合します。また、DS1225Yは、ピン配列が2764 EPROMや2864 EEPROMに一致するので、性能を向上させる際にそのまま代替品となります。実行可能な書込みサイクル数に制限がなく、マイクロプロセッサとのインタフェースに対し回路を追加する必要がありません。

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