あらゆるバッテリに対応したバッテリ残量ゲージ

全バージョンの製造を中止しています。

多種のバッテリに対応したバッテリ残量ゲージのDS2751は、コスト重視でスペースに制約のある1セルリチウムイオン/ポリマまたは3セルNiバッテリパックのアプリケーションを対象としたデータ収集と情報記憶を行うデバイスです。DS2751は、温度、電圧、電流、および電流積算の低電力高精度測定機能、ならびに不揮発性(NV)データストレージを3.0mm x 4.4mmの8ピンTSSOPパッケージに集積化した、残容量の正確な見積りに必要な重要なハードウェア部品を提供します。

DS2751は、1-Wire®インタフェースを介して、ホストシステムにステータス/制御レジスタ、計測レジスタ、および汎用データ記憶装置の読取り/書込みアクセスを行わせます。各デバイスは、ホストシステムがデバイスのアドレスを個別に指定できるよう固有の64ビットネットアドレスが出荷時にプログラムされており、マルチバッテリ動作をサポートしています。

DS2751は、バッテリ充電制御と残容量見積りなどのプロセス監視アプリケーションのサポートに十分な分解能で温度、電圧、電流を測定します。温度は、内蔵のセンサを用いて測定され、サーミスタを別に設ける必要がありません。双方向の電流測定と積算は、25mΩの内部検出抵抗器、または外付けデバイスのいずれかを用いて行われます。また、DS2751は、プログラマブルなI/Oピンを備えており、ホストシステムは、このピンにより、スイッチ、振動モータ、スピーカ、LEDなど、パック内の他の電子部品を検出し制御することができます。

DS2751は、EEPROM、ロック可能EEPROM、およびSRAMの3種類のメモリをバッテリ情報の保存用に備えています。EEPROMメモリは、バッテリの極度の過放電や偶発的な短絡、またはESD発生の影響を受けない真の不揮発性(NV)メモリに、重要なバッテリデータを保存します。ロック可能EEPROMは、セキュリティを高めてバッテリデータが変化しないようこれをロックする場合にROMとして働きます。SRAMは、一時データ記憶用の安価な記憶媒体です。