EEPROM内蔵、I²CガンマおよびV_COMバッファ

入手可能：生産中

DS3510は、プログラマブルガンマおよびV_COM電圧ジェネレータで、ガンマ/V_COMデータの内蔵EEPROMメモリへのリアルタイム更新およびマルチバイトストレージの両方をサポートします。個別にアドレス指定可能な各ガンマまたはV_COMチャネルは、独立した8ビットDAC、2つの8ビットデータレジスタ、および4バイトのEEPROMメモリを備えています。高性能のバッファアンプが内蔵され、レイルトゥレイル、低電力(400µA/ガンマチャネル)動作を提供します。V_COMチャネルは、広範なTFT LCDパネルのV_COMノードの駆動に最適化された大電流ドライブ(ピーク250mA以上)および高速セトリングバッファアンプを備えています。

プログラミングは、I²C対応のシリアルインタフェースを通じて行います。インタフェースの性能とフレキシビリティは、チャネルごとにロードされる1組のデータレジスタ、および最大400kHzのI²C速度によって強化されています。マルチテーブルEEPROMメモリによって、温度または光源レベル依存のガンマテーブル、出荷時またはフィールドでの自動ディスプレイ調整のイネーブル、およびシステムパワーを削減するためのバックライト調光アルゴリズムへの対応を含む、ディスプレイシステムの多種多様な機能強化を可能にします。電源投入時およびモードに応じて、DACデータは、S0/S1パッド選択によるEEPROMから、または固定メモリアドレスから選択されます。

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