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T/H
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Track/Hold (トラック/ホールド)。 |
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T/R
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Transmit/Receive (送信/受信)。 |
| T/s |
参照：Transfer
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T1
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米国におけるディジタル伝送規格。1.544Mbps容量を持つディジタル伝送リンク。ほとんどの住宅に見られるのと同様の2対の標準ツイスト線がT1に使われる。T1では通常、24個の音声会話が、各64kbpsでディジタル化され、処理される。より高度なディジタル音声符号化技術では、T1はさらに多くの音声チャネルを扱うことが可能。 |
| T1 Framer |
参照：Framer
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T3
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44Mbpsでディジタル信号を伝送することができるデータ接続の1種。T3ラインは、インターネットを形成するような大型コンピュータネットワークとリンクするために使われることが多い。 |
| Tach |
参照：Tachometer
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Tachometer
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タコメータ：シャフトの回転速度を測定するために使用されるトランスデューサ。 |
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TAD
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Total Accumulated Discharge (総積算放電量(mA-hr))。 |
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Taper
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テーパ：ポテンショメータにおいてテーパはポテンショメータの電機子が回転する際に(あるいは、スライドポテンショメータではワイパがスライドする際、DS1802のようなソリッドステートポテンショメータでは入力電圧が変化する際)抵抗がどう変化するかを示すもの。
リニアテーパ付きのポテンショメータでは、ワイパが動くと抵抗がリニアに変化する。
対数(ログ)テーパ付きのポテンショメータでは、抵抗はワイパの動きとともに対数的に変化する。アンプ回路で使用された際、ポテンショメータがローエンドで動作すると出力はゆっくりと変化し、ポテンショメータがハイエンドに向かって動作すると出力はより高速に変化する。
これは、オーディオボリューム制御によく使用されるのでオーディオテーパとも呼ばれる。耳は対数的に反応する(信号の二重化はそれぞれボリュームにおける同等ステップとして解釈される)。耳は低ボリュームで変化に対しより敏感である一方、オーディオボリューム制御はより低設定においてゆっくりと信号を変化させ、高設定においてより高速に変化させる。純効果としてはポテンショメータの範囲ではサウンドがよりスムーズに変化する印象を与える。
受け取られるボリュームは主観的であり正確ではないので、真の対数ポテンショメータの代わりに概算値が使用される場合がある：アプリケーションノートAN 3996、AN 838 (English only)、AN 1828 (English only)を参照。 |
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TC
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Temperature Coefficient (温度係数); TURBOCHARGE (制御ビット)。 |
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TCP/IP
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Transmission Control Protocol/Internet Protocol (伝送制御プロトコル/インターネットプロトコル)：インターネット上で通信するためにコンピュータが使用するプロトコルまたは規定。 |
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TCXO
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Temperature Compensated Crystal Oscillator (温度補償水晶発振器)：より一定の周波数を保つために温度変化に対して補償する回路を含む水晶発振器。 |
| Td-SCDMA |
参照：TDSCDMA
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TDD
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Time Division Duplex (時分割デュープレクス)：高トラフィック密度に対応することが必要な屋内環境に特に適したWCDMAの第2のバリエーション。 |
| TDD WLAN |
参照：TDD
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| TDD-WCDMA |
参照：TDD
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TDM
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Time Division Multiplexing (時分割多重化)：単一通信ラインまたはチャネルを使って多くの信号を組み合わせて伝送する方式。各信号は多くのセグメントに分けられ、各々は短い時間を占有する。 |
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TDMA
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Time Division Multiple Access (時分割多重アクセス)：ディジタルワイヤレス通信伝送方式。TDMAによって多くのユーザは、各チャネルに対して各ユーザにユニークな時間スロットが割り当てられるため、干渉なしで単一無線周波数に(順に)アクセスすることができる。 |
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TDR
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Time-Delay Relay (時間遅延リレー)。 |
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TDSCDMA
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中国の第3世代(3G)電気通信規格。中国政府によって3つの周波数帯が割り当てられた：1880MHz～1920MHz、2010MHz～2025MHz、および2300MHz～2400MHz。 |
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TEC
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Thermoelectric Cooler (熱電クーラー)：TECは、ペルチェ接合による小型冷却デバイス。ペルチェ接合(J. C. Peltierが1833年に発見)は、異なる材料でつくられた2つの導体から成り、電流がペルチェ素子を通過する際に冷却または加熱させるヒートポンプとして動作する。 TECは小型サイズであるため、光ファイバレーザドライバ、高精度電圧リファレンス、または温度管理が重要となるデバイスなどの個別部品の高精度温度制御が可能になる。温度が重要となる部品は、TECおよび温度モニタとともに、単一の熱工学設計モジュールに集積される。 「Thermoelectric Controller (熱電コントローラ)」 (略称TEC)は、接合部を駆動する電流を制御する電子回路。これらは非常に高性能になりうる。多くは、正または負電流を駆動(すなわち加熱または冷却が行える)し、PWMを使い効率を上げ、電流量を安定化させる制御機能も備えることが可能。下記リンクはこのような回路の例。 参照：App Note 3318, HFAN-08.2.0: Thermoelectric Cooler (TEC) Control (English only) |
| TEDS |
参照：Transducer Electronic Data Sheet
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Television
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テレビ：主にNTSC、PAL、またはHDTV規格によって、遠隔地に画像と音声を伝送するシステム。
参照：Video Basics (English only) |
| Temp |
参照：Temperature
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| Temp Sensor |
参照：Analog Temperature Sensor
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Tempco
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Temperature Coefficient (温度係数)。 |
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Temperature
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温度：暖かさや冷たさとして感じ取られる、身体や物質の原子または分子の平均動的エネルギー。摂氏、華氏、またはケルビンで測定され、単位は度で表される。 参照：マキシムのサーマル管理ICの製品ラインページ |
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Temperature Comparator
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温度コンパレータ：測定された温度があらかじめ決められたスレッショルドを越えるか、越えないかを表示するディジタル出力を備える集積回路。 |
| Temperature Compensated Crystal Oscillator |
参照：TCXO
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| Temperature Control |
参照：Thermal Management
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| Temperature Management |
参照：Thermal Management
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| Temperature Resistor |
参照：Thermistor
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| Temperature Sensor |
参照：PWM Temperature Sensor
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| Temperature Shutdown |
参照：Thermal Shutdown
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Temperature Switch
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温度スイッチ：温度に基づいて導電性経路を開いたり閉じたりする回路。 |
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TFT
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Thin-Film Transistor (薄膜トランジスタ)。 |
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THB
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Temperature/Humidity Bias (温度/湿度バイアス)。 |
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THD
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Total Harmonic Distortion (全高調波歪み)：元の信号の高調波上で発生するエネルギを評価する信号歪みの測定値。信号振幅のパーセンテージで値として規定される。
例えば、12kHzの信号が入力に与えられた場合、THDは24kHz、36kHz、48kHzなど出力で発生するエネルギを測定して、それを12kHzで発生するエネルギと比較する。 |
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THD+N
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Total Harmonic Distortion Plus Noise (全高調波歪み + ノイズ)：2つの最も重要な歪み成分の和。THDは元の信号の高調波上で発生する歪みであり、信号と相関がある。ノイズは、よりランダムで、相関性のない歪みである。THD+Nはそれらの合計である。 |
| Thermal Control |
参照：Thermal Management
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Thermal Control Circuit
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熱制御回路：ある部品の温度を監視し制御する回路。例としてIntelプロセッサに内蔵された温度コントローラが挙げられる。 |
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Thermal Management
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熱管理：ICの全体温度および内部キャビネット温度を制御するために、プロセッサまたはFPGAベースのシステム内で温度監視デバイスや冷却方式(例えば強制空冷)を使うこと。 |
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Thermal Monitor
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温度モニタ：Intelプロセッサデバイスが備える集積化温度制御システム。 |
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Thermal Shutdown
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サーマルシャットダウン：測定温度があらかじめ決定された値を超えると回路の動作を停止する。 |
| Thermal Switch |
参照：Temperature Switch
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THERMDA
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Thermal Diode Anode Pin on AMD and Intel Processors (AMDおよびIntelプロセッサ上のサーマルダイオードアノード端子)。 |
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THERMDC
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Thermal Diode Cathode Pin on AMD and Intel Processors (AMDおよびIntelプロセッサ上のサーマルダイオードカソード端子)。 |
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Thermistor
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サーミスタ：通常、焼結した半導体材料を成分とする大きい温度係数を持つ温度依存性の高い抵抗。 |
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Thermochron
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温度を測定し記録(ログ)するデバイス。Dallas Semiconductorの商標。 |
| Thermochron i-Button |
参照：Thermochron
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| Thermochron iButton |
参照：Thermochron
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Thermocouple
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熱電対：2つの異なる金属の接合によって形成される温度センサ。熱い接合部と接続線(冷たい)接合部との間の温度の違いに比例する電圧出力を発生する。 |
| thermoelectric cooler |
参照：TEC
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Thermostat
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サーモスタット：測定された温度が、特定の温度スレッショルドまたはトリップポイントを超えるか、または下回るかを示す回路。サーマル保護および簡単な温度制御システムで使用される。 |
| THERMTRIP |
参照：THERMTRIP#
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THERMTRIP#
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Intel Pentiumプロセッサの温度トリップディジタル出力の端子名。この端子は公称チップ温度135℃でアサートされる。 |
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THERMTRIP_L
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AMDプロセッサの温度トリップ出力の端子名。この端子は公称チップ温度125℃でアサートされる。 |
| Thin-QFN |
参照：TQFN
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| Third Order Input Intercept Point |
参照：IIP3
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| Third Order Intercept Point |
参照：IIP3
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Through-Hole
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スルーホール(部品穴)：プリント回路基板(PCB)に部品を実装するための方法で、部品のピンは基板にある穴に挿入されて半田付け固定される。 |
| TIA |
参照：Transimpedance Amplifier
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| TIM |
参照：Transient Intermodulation Distortion
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| Time Division Multiple Access |
参照：TDMA
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| Time Division Multiplexing |
参照：TDM
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| Timing Distortion |
参照：Jitter
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TINI
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Tiny Internet Interface (小型インターネットインタフェース)：業界最小のウェブサーバであるTINIは、インターネットへ接続するために必要な機能を持つマイクロコントローラ。広帯域ベースのI/O、全TCP/IPスタックおよびネットワーク接続された機器の開発を簡略化する拡張可能なJavaランタイム環境を組み合わせたプラットフォームになっている。 |
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TLA
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Three-Letter Acronym (3文字略語)。 |
| Total Harmonic Distortion |
参照：THD
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| Total Harmonic Distortion Plus Noise |
参照：THD+N
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Totem Pole
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トーテムポール：PチャネルMOSFETが直列にNチャネルMOSFETに接続され、この2つの間の接続点が出力である標準CMOS出力構成。P-FETが｢トーテムポール｣のようにN-FETの上に置かれる。両ゲートは、同じ信号によって駆動される。信号がローのときP-FETはオン、信号がハイのときN-FETはオン。このことによって、わずか2つのトランジスタでプッシュ/プル出力が生成される。 |
| TouchTone |
参照：DTMF
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TQFN
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厚さ0.8mmのQFNパッケージの薄型バージョン(JEDECの｢W｣オプション)。 |
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TQFP
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Thin Quad Flat Pack (薄型クワッドフラットパック)。 |
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Transceiver
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トランシーバ：トランスミッタおよびレシーバ両方を含むデバイス。
よくあるスペリングミス：Transciever、Tranceiver、Transeiver、Transiever、Tranciever、Transcever
例：
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Transconductance
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トランスコンダクタンス：トランスコンダクタンスアンプ(入力電圧の変化がリニアに出力電流変化となって現れるアンプ)の利得。真空管およびFETの基本利得はトランスコンダクタンスで表現される。記号gmで表現される。 この用語は｢transfer conductance (伝達コンダクタンス)｣から来ており、ジーメンス(S)という単位で測定される。1ジーメンスは1アンペア/ボルト。以前は｢mho｣ (ohmを逆からつづったもの)と表記されていた。 |
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Transconductance Amplifier
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トランスコンダクタンスアンプ：電圧を電流に変換するアンプ。その他いくつかの用語でも知られている(同義語(Synonym)を参照)。同義語の1つにOTA (Operational Transconductance Amplifier：オペレーショナルトランスコンダクタンスアンプ)があり、トランスコンダクタンスアンプとオペアンプが合体した用語。
この用語は｢Transfer Conductance (伝達コンダクタンス)｣から来ており、ジーメンス(S)という単位で測定される。1ジーメンスは1アンペア/ボルト。記号gmで表現される。真空管およびFETの基本利得はトランスコンダクタンスとして表現される。 参照：Transconductance Amplifier Buffers Current Transformer (English only) |
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Transducer Electronic Data Sheet
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トランスデューサエレクトロニックデータシート(TEDS)：TEDSは、センサの較正情報がデバイス内に保存され、要求があればマスタコントローラにダウンロードされる、プラグアンドプレイセンサとトランスデューサ接続の1方式。標準化されたTEDS規格はIEEE P 1451.4と同様にIEEEによって開発されている。 |
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Transfer
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伝送：
伝送は、データをエンコードするために使われる余分ビットを除いた、ディジタルインタフェースで伝送されるデータ量を指す。
データ伝送数は、エンコードデータのビット数が粗データよりのビット数よりも多い場合、送られるビット数よりも少ない。例として、PCIeシリアルバスは10ビットを使ってデータ8ビットをエンコードする。(余分のビットスペースが、クロック、エラー検出冗長性などをエンコードするために使用される場合がある)
データレートは、一般的にtransfers per second、gigatransfers per second (GT/s)およびmegatransfers per second (MT/s)で表現される。 |
| transfer rate |
参照：Transfer
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Transformer
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トランス：交流電流の電圧を変えるための誘導電気デバイス。
トランスは2つの磁気結合コイルから成る。一方の磁気結合コイル(｢プライマリ｣という)の交流電流はもう一方のコイル(｢セカンダリ｣という)の電流を誘導する変動磁場をつくる。鉄またはフェライトからなるコアは通常2つのコイルに繋がるが、鉄のコアなしで高周波数デバイスは動作可能。
トランスには2つの主機能がある：電圧トランスと絶縁：
- セカンダリの電圧はプライマリを駆動する電圧よりも高いあるいは低く、2つのコイルの巻線比によって決定される。
- 絶縁はコイルが磁場によってのみ接続されているという事実によるため、共通グランドとは独立しうる。
プライマリのアプリケーションは電力および信号絶縁/インピーダンストランス用。
自動トランスは変化する出力電圧に影響を及ぼす中間｢タップ｣を備えた単一コイルのトランス。
トランスの容量はKVA (キロボルトアンペア)で測定される：ボルト x アンペア/1000。 |
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Transient Intermodulation Distortion
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過渡相互変調歪み(TIM)：信号遅延によってアンプが、高速過渡信号にさらされたときに歪みを修正できない場合に負フィードバックを採用するアンプで生じる。 |
| Transient Voltage Suppressor |
参照：TVS
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Transimpedance Amplifier
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トランスインピーダンスアンプ：電流を電圧に変換するアンプ。ファイバ通信モジュールでよく使用される部品。
トランスレジスタンスの単位はオーム。
参照：Transconductance Amplifier Buffers Current Transformer (English only) |
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Transistor
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トランジスタ：基本的なソリッドステート制御デバイスで、2端子間の電流フローを3番目の端子に与えられる電圧または電流によって可能または不可能にする。
通常、シリコンから作られるが、その他の半導体材料からも作ることができる。主に次の2種類がある：FET (電界効果トランジスタ)およびバイポーラジャンクショントランジスタ(BJT)。
初のトランジスタは、1947年にMichael John Bardeen、Walter BrattainとWilliam Shockleyによって、ベル研究所で発明された。 |
| Transistor Sensor |
参照：Remote Temperature Sensor
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| Transistor Temperature Sensor |
参照：Junction Diode Sensor
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| Transmission Control Protocol/Internet Protocol |
参照：TCP/IP
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| Transmission Gate |
参照：Analog Switch
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Transmitter
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トランスミッタ：信号またはデータを受け取りそれらを媒体を通じて送信可能な形式(通常長距離伝送)に変換する回路。媒体はワイヤレスまたは有線。
例：
- キャリア上の信号を変調しエアウェーブを通じて伝送する無線トランスミッタ
- 超音波周波数で信号を送信する超音波トランスデューサ
- バックプレーンを駆動するラインドライバ
- インタフェースを駆動する回路(例：USB、シリアル、LVDS)
- 光パルスを放つ光ファイバデバイス
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| Transresistance Amplifier |
参照：Transimpedance Amplifier
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Tri-State
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1、0、および｢Hi-Z｣、または｢オープン｣の3つの電気的状態を備えた出力。Hi-Z状態は、出力が切断され信号がオープンのままにされ、他のデバイスによって駆動される(または未定義状態を避けるために提供される抵抗によってプルアップまたはプルダウンされる)ハイインピーダンス状態のこと。
通常、バスに使用され、あらゆる複数デバイスを選択可能。バスにプルダウン抵抗があれば、トライステート調整によって｢OR接続｣と呼ばれるOR機能が実現される。
Tri-StateはNational Semiconductorの商標です。 |
| trr |
参照：Reverse Recovery Time
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| TS-16949 |
参照：TS16949
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TS16949
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TS 16949は、ISO技術仕様で、グローバルな自動車産業の中の以前のアメリカ(QS-9000)、ドイツ(VDA6.1)、フランス(EAQF)およびイタリア(AVSQ)など自動車品質システム規格に沿う仕様である。ISO 9001:2000とともにISO/TS 16949:2002は、自動車関連製品の設計/開発、製造、導入、およびサービスにおける品質システム要件を定めている。 |
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TSOC
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Thin Small-Outline C-lead (薄型スモールアウトラインC-リード)。 |
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TSOP
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Thin Small-Outline Package (薄型スモールアウトラインパッケージ)。 |
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TSSM
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Temperature Sensor and System Monitor (温度センサおよびシステムモニタ)。 |
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TSSOP
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Thin Shrink Small-Outline Package (薄型シュリンクスモールアウトラインパッケージ)。 |
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TTC
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温度変換サンプル時間。 |
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TTFC
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フル充電までの残存時間。 |
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TTIMD
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Two-Tone Intermodulation Distortion (2トーン混変調歪み)。 |
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TTL
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Transistor-to-Transistor Logic (トランジスタ-トランジスタロジック)。 |
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TUE
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Total Unadjusted Error (総合未調整誤差)。 |
| TV |
参照：Television
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TVM
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Test Vector Monitor (テストベクトルモニタ)。 |
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TVS
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Transient Voltage Suppressor (トランジェント電圧抑制回路)：一時的な電圧および電流から回路を保護するように設計された半導体デバイス。通常、大電流を即座に吸収するアバランシェモードで動作する大型シリコンダイオードとして実現される。 |
| Twisted-Pair |
参照：Differential Signaling
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Tx
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Transmit (送信)。 |
今日の電気/電子用語(English only)