| JFET 、Junction Field-Effect Transistor (接合型電界効果トランジスタ)、またはJUGFETは、逆バイアスされた接合部によってゲートが構成されるFET (絶縁薄膜によるゲート電界によって導電路が構成されるMOSFETと対照的)。 例：pチャネルJFETは、1端に｢ドレイン｣、もう1端に｢ソース｣を持つpタイプシリコンの導通路によって構成。この両端間は｢ゲート｣として接続されたnタイプでできている。このゲートに印加された正電圧は｢反転空乏層｣を作り、ソースとドレイン間の電流を制限する。 |
