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IPブロック
多種多様の知的財産によって、RF ASIC設計の市場への投入時間を改善
以下に挙げる知的財産は、お客様の設計仕様により再定義および設計が可能です。個々のプロジェクトのニーズを満足させるためにフルモデリングが提供されています。
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LNA
ゲイン = 14dB～16dB
IIP3 = +2dBm～+12dBm
PCS NF = 1.2dB
セルラNF = 0.9dB
GPS NF = 1.0dB
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ミキサ
雑音指数：6.5dB～11dB
IIP3 = +5dBm
変換利得：10dB～15dB
周波数範囲：100MHz～5GHz
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VGA
ゲイン制御範囲：10dB～55dB
周波数範囲：ベースバンド～2.5GHz
自動DCオフセット制御
温度安定性：±2dB (-40℃～+120℃)
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パワーアンプ
PCS PA効率：36%
POUT = +28dBm
ゲイン = 24dB
ACPR：-47dBc (狭帯CDMA)
ALTCPR：-56dBc
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VCO
周波数：最大5GHz
フェーズノイズ：80dBc/Hz (typ) (10kHzのオフセット、8mAの場合)
ハイQ、オンチップインダクタ
周波数トリミング可能
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ディジタルセル
広範なCMOSおよびCMLディジタルライブラリ
回路図、レイアウト、Behavioral、Verilog、LPE、およびシンボルビュー
I/Oバッファ、バンドギャップ、ESD、およびトリムセル
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RF ASICの開発
マキシムではRF ASICの開発にあたり、様々な形でお客様とパートナー関係を結ぶことができます。マキシムでは、幅広いSiGe技術、RF試験能力および最先端パッケージ技術を提供しています。マキシムの米国本社ファウンドリーグループに直接連絡を取りたい場合は、電話503/547-2415、またはFAX 503/547-0810まで、電子メールは、まで英語でご連絡ください。
高周波ASICの設計
すべてのマキシム高周波技術は、最終ウェハー試験で行われるNiCrまたはSiCr抵抗いずれかによるアナログまたはディジタルレーザトリムを特長としています。このトリムはVCOを改善するだけでなく、アンプのゲイン、直線性、および高速ADCおよびDACの性能も向上させることができます。ユニークな特長を持つレーザートリム技術は、すべてのASIC設計に生かされています。レーザートリムに関する詳細の要求については、マキシムにお問い合わせください。
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