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SiGeミックスドシグナルおよびRF ASIC技術

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多種多様の知的財産によって、RF ASIC設計の市場への投入時間を改善

以下に挙げる知的財産は、お客様の設計仕様により再定義および設計が可能です。個々のプロジェクトのニーズを満足させるためにフルモデリングが提供されています。

LNA ゲイン = 14dB～16dB IIP3 = +2dBm～+12dBm PCS NF = 1.2dB セルラNF = 0.9dB GPS NF = 1.0dB	ミキサ雑音指数：6.5dB～11dB IIP3 = +5dBm 変換利得：10dB～15dB 周波数範囲：100MHz～5GHz
VGA ゲイン制御範囲：10dB～55dB 周波数範囲：ベースバンド～2.5GHz 自動DCオフセット制御温度安定性：±2dB (-40℃～+120℃)	パワーアンプ PCS PA効率：36% P_OUT = +28dBm ゲイン = 24dB ACPR：-47dBc (狭帯CDMA) ALTCPR：-56dBc
VCO 周波数：最大5GHz フェーズノイズ：80dBc/Hz (typ) (10kHzのオフセット、8mAの場合) ハイQ、オンチップインダクタ周波数トリミング可能	ディジタルセル広範なCMOSおよびCMLディジタルライブラリ回路図、レイアウト、Behavioral、Verilog、LPE、およびシンボルビュー I/Oバッファ、バンドギャップ、ESD、およびトリムセル

RF ASICの開発

マキシムではRF ASICの開発にあたり、様々な形でお客様とパートナー関係を結ぶことができます。マキシムでは、幅広いSiGe技術、RF試験能力および最先端パッケージ技術を提供しています。マキシムの米国本社ファウンドリーグループに直接連絡を取りたい場合は、電話503/547-2415、またはFAX 503/547-0810まで、電子メールは、まで英語でご連絡ください。日本語対応を希望される方はまでご連絡ください。

高周波ASICの設計

すべてのマキシム高周波技術は、最終ウェハー試験で行われるNiCrまたはSiCr抵抗いずれかによるアナログまたはディジタルレーザトリムを特長としています。このトリムはVCOを改善するだけでなく、アンプのゲイン、直線性、および高速ADCおよびDACの性能も向上させることができます。ユニークな特長を持つレーザートリム技術は、すべてのASIC設計に生かされています。レーザートリムに関する詳細の要求については、マキシムにお問い合わせください。

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