 |
|
|
|
|
マキシム >
製品 >
高周波ASIC
RFおよびワイヤレス |
|
|
プロセス技術
マキシムの高周波プロセス
 RF BiCMOS
マキシムの第2世代の RF BiCMOSプロセスファミリとなるMBiC-2、F60、およびGST-4Pは、高速ダブルポリシリコンSiGeバイポーラトランジスタ、高速Si CMOSトランジスタ、および高品質な受動部品を提供します。MBiC-2は、最大5.8GHzのポータブルワイヤレスアプリケーション用に最適化されています。最大10Gbpsとより高速なデータ速度が求められるファイバアプリケーションはF60がサポートします。そして、GST-4Pはワイヤレスパワーアンプなどリニアリティやブレイクダウン電圧の高いアプリケーションに対応します。
Si RF BiCMOS
MBiC-1は高速ダブルポリシリコンSiバイポーラトランジスタおよび高速Si CMOSトランジスタを提供し、2.5GHz以下の大量生産される高集積ワイヤレスアプリケーションに対して、優れた低コストプロセスとなります。
RFバイポーラ
マキシムの第3世代の RFバイポーラプロセスとなるGST-35は、モバイルおよび高リニアリティの両アプリケーション向けに最適化されています。これによってパワーアンプに低電力トランシーバ回路の集積化が可能になります。
マキシムの第1世代の RFバイポーラプロセスとなるGST-33/34は、低ノイズのワイヤレスアプリケーション向けに最適化されています。これらのプロセスは新規設計ではご利用いただけません。
GST-2はマキシムのバイポーラプロセスの基礎となります。非常に信頼性の高いこの低コストプロセスは、最大2.4GHzのワイヤレス回路および最大2.5Gbpsのファイバアプリケーションなど幅広いアプリケーションで使用されています。
相補型バイポーラ
CB-2は、高リニアリティケーブルおよび計測アプリケーション向けに最適化された高速の相補型NPNおよび縦型PNPトランジスタを提供します。
|
|
|
|
|
