マキシムのワイヤレスファウンドリサービス

マキシムから直接ファウンドリウェハを購入する



ファウンドリのお客様に提供されるIP (知的財産権)の例
USウェハファブ所在地
  • オレゴン州ビーバートン
  • カリフォルニア州サンノゼ
  • テキサス州ダラス
  • テキサス州サンアントニオ
幅広いセレクションのプロセス技術
  • バイポーラ
  • SiGe
  • 相補型バイポーラ
  • BiCMOS
  • SiGe BiCMOS
  • BCD
デザインサポート
  • 専門のサポートグループ
  • デザインレビュー
  • デザインコンサル
  • 知的所有権の利用可能
Cadence®ツールセットのフルサポート
  • Affirma™ (アナログアーティスト)の設計環境
  • Composer™ (回路図キャプチャ)
  • Diva®/Assura™ (DRC/LVS)
  • Virtuoso®/XL (レイアウト)
  • Spectre®/RF (シミュレーション)
  • Assura RCX (LPE)

お客様ご自身で高性能SiGe ASICを設計する



高周波技術の幅広いセレクションから選択する。
マキシムは、その最先端のプロセス技術を用いて、高周波ASICのニーズに応える独自のソリューションを提供しています。CB-2によって、高リニアリティケーブルおよび計測アプリケーションに最適化された高速の相補型NPNおよびバーティカルPNPが提供されます。GST-2は、マキシムのバイポーラプロセスの基礎であり、最高2.4GHzの多様なアプリケーションで使用される高信頼性、高コスト効率のプロセスです。MBiC-1は、最高2.4GHzのワイヤレスアプリケーションにBiCMOSを提供します。MBiC-2およびF60は、高速SiGeトランジスタ、メタルフィルム抵抗器、および高Qインダクタを特長とした高速、ダブルポリシリコンSiGe BiCMOS技術を提供します。GST-35も同様に、高性能SiGeプロセスであり、モバイルおよび高リニアリティアプリケーションの両方に最適化されたバーティカルPNPおよびJFETを提供します。F120は、超高速アプリケーションに最適な高速SiGeプロセスです。

すべてのワイヤレス設計にレーザトリムが可能 マキシムの全高周波技術は、NiCrまたはSiCr抵抗器いずれかのレーザトリムを備え、このレーザトリムは最終ウェハ試験で行われます。特別なレーザトリムのご要望についてはマキシムにお問い合わせください。

VCO周波数

トリムエレメント
マキシムにおけるRFワイヤレスパッケージング能力の向上
マキシムは、ワイヤレスアプリケーション向けの最新パッケージング技術を提供しているフルサービスのASICサプライヤです。マキシムでは専門のグループが、最も普及しているパッケージに対して非常に正確なRFモデルを作成しています。これは、マキシムのASIC設計が初回パスをするための重要な要素となっています。

QFNパッケージはマキシムのワイヤレスグループで広く使用されている優れたRFパッケージです。これはダイパッドへのダウンボンドによって低インダクタンスのグランド接続を可能にする放熱パッドのついたリードレスパッケージです。

UCSP™はマキシムの多くのRFワイヤレスアプリケーションで使用されるフリップチップパッケージです。このパッケージは、プリント基板への超低インダクタンス接続および超小型の実装面積を特長としています。



参照: 高周波ASIC

ファウンドリグループの連絡先(すべて英語のみの対応):503/547-2415 (電話)、503/547-0810 (FAX)
Eメール(英語のみの対応):
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