信頼性モニタプログラム(Q2 2009)

製品別プロセス信頼性レポート索引(PDF, 507kB, English only)を参照してください。 ストレステスト 前処理 高温動作 高温保存 温度サイクル 高温高湿バイアス 書込みサイクル/データ保持 パッケージ品質 プロセス信頼性 Chartered 0.35µm Silicon Gate CMOS Dallas 0.35µm Silicon Gate CMOS (E35) Dallas 0.35µm "D" Silicon Gate CMOS (E35D) Dallas 0.6µm Silicon Gate CMOS (E6) Dallas 0.8µm Silicon Gate CMOS (B8) Epson 0.4µm Silicon Gate CMOS (S4) Epson 0.4µm Silicon Gate CMOS (S45) Epson 0.6µm Silicon Gate CMOS (C6Y) MFN Dual Poly NPN Bipolar (GST2) MFN 0.8µm Silicon Gate CMOS (B8) MFN 1.2µm Silicon Gate CMOS (B12) MFN 1.2µm Silicon Gate CMOS (S12) MFN 3.0µm Silicon Gate CMOS (B3) MFN 3.0µm Silicon Gate CMOS (S3) MFN 80V Bipolar CMOS DMOS (BCD80) MFN 250V Bipolar CMOS DMOS (BCD250) MFN SiGe HBT (F120) MFN Poly Emitter Complementary Bipolar (CB) MFN SiGe HBT 0.5µm CMOS (G4) MFN SiGe HBT 0.35µm BiCMOS (MB3) MFN SiGe HBT BiPolar (GST3) San Antonio 0.4µm Silicon Gate CMOS (S4) San Antonio 0.4µm Silicon Gate CMOS (S45) San Antonio 0.8µm Silicon Gate CMOS (B8) TSMC 0.18µm Silicon Gate CMOS TSMC 0.35µm Silicon Gate CMOS TSMC 0.5µm Silicon Gate CMOS UMC Poly Emitter Complementary Bipolar (CB) X3 0.18µm Silicon Gate CMOS (S18) X3 0.4µm Silicon Gate CMOS (S4) X3 0.4µm Silicon Gate CMOS (S45) X3 0.6µm Silicon Gate CMOS (B6) X3 0.6µm Silicon Gate CMOS (C6) X3 0.8µm Silicon Gate CMOS (B8) X3 SiGe HBT 0.35µm BiCMOS (MB3) アセンブリ信頼性 CSBGA iButton LQFP PBGA PDIP PLCC QFN SOIC SOT SPM TO TSOC TSSOP µMAX 製品別プロセス信頼性レポート索引(PDF, 507kB, English only)を参照してください。