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入手可能：生産中

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フルデータシート (PDF, 200kB) 日本語 ダウンロードする 不揮発性RAMコントローラMXD1210は超低電力CMOS回路であり、標準(揮発性) CMOS RAMを不揮発性メモリに変換します。この製品は常に電源を監視し、RAMへの供給電力が許容範囲外になった場合にRAMに対する書込み保護を提供します。電源が低下し始めるとRAMは書込み保護され、このデバイスはバッテリバックアップモードに切り替わります。

主な特長		アプリケーション/用途
バッテリバックアップ メモリ書込み保護 動作モード時の自己消費電流：230µA バックアップモード時の自己消費電流：2nA バッテリフレッシュネスシール 冗長バッテリ(オプション) VCC電源スイッチの低順方向電圧ドロップ パワーフェイル検出オプション：5%または10% パワーアップ時のバッテリ状態をテスト 8ピンSOP入手可能		µP制御システム コンピュータ：デスクトップ、ワークステーション、サーバ 組込みシステム

Key Specifications:  Battery Backup Circuits
Part Number	Reset Thresh. (V)	ICC (µA)	Features	Package/Pins	Smallest Available Pckg. (mm2)	Oper. Temp. (°C)	Price
		max			max w/pins		See Notes
MXD1210	3.3 to 5.5	500	Chip Enable Gate	CDIP(N)/8 PDIP(N)/8 SOIC(N)/8 SOIC(W)/16	31	-55 to +125 -40 to +85 0 to +70	$2.44 @1k
全Battery Backup Circuits (86)

図

標準動作回路

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参考文献： 19-0154; Rev 2; 2006-06-30
このページの最終更新日： 2007-05-30