DS1220AB, DS1220AD
16k不揮発性SRAM
製品概要
16k不揮発性(NV) SRAMのDS1220ABとDS1220ADは、16,384ビット(2048ワード x 8ビット構成)の完全スタティックNV SRAMです。各NV SRAMは、リチウム電池と制御回路を内蔵し、これらによってVCC の許容範囲からの外れを常に監視しています。VCC が許容範囲から外れると、リチウム電池が自動的にオンになり、書込み保護が無条件に有効になってデータ破壊を防止します。NV SRAMは、通常のバイト長24ピンDIP規格に適合した既存の2k x 8 SRAMと置換使用できます。また、このデバイスは、ピン配列が2716 EPROMと2816 EEPROMと同一なので、性能を向上させる際にそのまま置換使用できます。実行可能な書込みサイクル数に制限がなく、またマイクロプロセッサとのインタフェースに対し回路を追加する必要がありません。
主な特長
外部電源なしで最低10年間データを保持
停電中は、データを自動的に保護
2k x 8揮発性スタティックRAMまたはEEPROMに直接置換え可能
無制限の書込みサイクル
低電力CMOS
JEDEC規格準拠24ピンDIPパッケージ
高速100nsの読取り/書込みアクセス時間
電源初期投入まで、リチウム電池を電気的に切断
最大±10% VCC の動作範囲(DS1220AD)
オプションとして、±5% VCC の動作範囲(DS1220AB)
オプションとして、-40℃～+85℃の工業用温度範囲(INDと指定)
UL® (Underwriters Laboratories)認定
Key Specifications:
Memory (EPROM, EEPROM, ROM, NV SRAM)
Part Number
Memory Type
Memory Size
Bus Type
Real-Time Clock
DIP with Internal Battery
PowerCap Package
Battery Monitor
With GPIO
Supply Voltage (min) (V)
Supply Voltage (max) (V)
Price**
DS1220AB
NV SRAM
2K x 8
Parallel
No
Yes
No
No
No
4.75
5.25
$6.44 @ 1k
DS1220AD
4.5
5.5
$6.04 @ 1k
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2007-12-20
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