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フルデータシート (PDF, 160kB) 英語 ダウンロードする DS1225ABとDS1225ADは、65,536ビット(8192ワード x 8ビット構成)の完全スタティック不揮発性(NV) SRAMです。各NV SRAMは、リチウム電池と制御回路を内蔵し、これらによってVCCの許容範囲からの外れを常に監視しています。VCCが許容範囲から外れると、リチウム電池が自動的にオンになり、書込み保護が無条件に有効になってデータ破壊を防止します。NV SRAMは、通常のバイト長の28ピンDIP規格に適合した既存の8k x 8 SRAMと置換使用できます。また、このデバイスは、ピン配列が2764 EPROM、2864 EEPROMと同一なので、性能を向上させる際にそのまま置換使用できます。実行可能な書込みサイクル数に制限がなく、マイクロプロセッサとのインタフェースに対し回路を追加する必要がありません。

主な特長

外部電源なしで最低10年間データを保持 停電中は、データを自動的に保護 8k x 8揮発性スタティックRAM、EEPROMに置換え可能 無制限の書込みサイクル 低電力CMOS JEDEC規格準拠28ピンDIPパッケージ 高速70nsの読取り/書込みアクセス時間 電源初期投入まで、リチウム電池を電気的に切断 最大±10% VCCの動作範囲(DS1225AD) オプションとして、±5% VCCの動作範囲(DS1225AB) オプションとして、-40℃～+85℃の工業用温度範囲(INDと指定)

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