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ステータス

入手可能：生産中

製品概要

フルデータシート (PDF, 184kB) 英語 ダウンロードする DS1225ABとDS1225ADは、65,536ビット(8192ワード x 8ビット構成)の完全スタティック不揮発性(NV) SRAMです。各NV SRAMは、リチウム電池と制御回路を内蔵し、これらによってVCCの許容範囲からの外れを常に監視しています。VCCが許容範囲から外れると、リチウム電池が自動的にオンになり、書込み保護が無条件に有効になってデータ破壊を防止します。NV SRAMは、通常のバイト長の28ピンDIP規格に適合した既存の8k x 8 SRAMと置換使用できます。また、このデバイスは、ピン配列が2764 EPROM、2864 EEPROMと同一なので、性能を向上させる際にそのまま置換使用できます。実行可能な書込みサイクル数に制限がなく、マイクロプロセッサとのインタフェースに対し回路を追加する必要がありません。

この製品にはリチウム金属電池が含まれています。機器に組み込まれたバッテリの輸送規定については適用される規制を参照してください。

主な特長

外部電源なしで最低10年間データを保持 停電中は、データを自動的に保護 8k x 8揮発性スタティックRAM、EEPROMに置換え可能 無制限の書込みサイクル 低電力CMOS JEDEC規格準拠28ピンDIPパッケージ 高速70nsの読取り/書込みアクセス時間 電源初期投入まで、リチウム電池を電気的に切断 最大±10% VCCの動作範囲(DS1225AD) オプションとして、±5% VCCの動作範囲(DS1225AB) オプションとして、-40℃～+85℃の工業用温度範囲(INDのサフィックス) UL® (Underwriters Laboratories)認定

図

ピン配列

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