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DS1230W
3.3V、256k不揮発性SRAM
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製品概要
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3.3V 256k NV SRAMのDS1230Wは、262,144ビット(32,768ワード x 8ビット構成)の完全スタティック、不揮発性SRAMです。各NV SRAMは、リチウム電池と制御回路を内蔵し、これらによってVCCの許容範囲からの外れを常に監視しています。VCCが許容範囲から外れると、リチウム電池が自動的にオンになり、書込み保護が無条件に有効になってデータ破壊を防止します。DIPパッケージのDS1230Wデバイスは、通常のバイト長の28ピンDIP規格に適合した既存の32k x 8スタティックRAMと置換使用できます。また、このDIPデバイスは、ピン配列が28256 EEPROMと同一なので、性能を向上させる際にそのまま置換使用できます。PowerCapモジュールパッケージのDS1230Wデバイスは、そのまま表面実装でき、通常はDS9034PC PowerCapとペアにして完全な不揮発性SRAMモジュールを構成します。実行可能な書込みサイクル数に制限がなく、マイクロプロセッサとのインタフェースに対し回路を追加する必要がありません。
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この製品にはリチウム金属電池が含まれています。機器に組み込まれたバッテリの輸送規定については適用される規制を参照してください。
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主な特長
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- 外部電源なしで最低10年間データを保持
- 停電中は、データを自動的に保護
- 32k x 8揮発性スタティックRAM、EEPROM、またはフラッシュメモリに置換え可能
- 無制限の書込みサイクル
- 低電力CMOS
- 高速100nsの読取り/書込みアクセス時間
- 電源初期投入まで、リチウム電池を電気的に切断
- オプションとして、-40℃～+85℃の工業用温度範囲(INDと指定)
- JEDEC規格準拠28ピンDIPパッケージ
- PowerCapモジュール(PCM)パッケージ
- 直接表面実装可能なモジュール
- 交換可能なスナップ式PowerCapによりリチウムバックアップ電池を実装
- すべての不揮発性SRAM製品を考慮し標準化したピン配列
- 一般のスクリュードライバでPowerCapの取外しは容易
- UL® (Underwriters Laboratories)認定
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| Key Specifications: Memory (EPROM, EEPROM, ROM, NV SRAM) |
| Part Number |
Memory Type |
Memory Size |
Bus Type |
Real Time Clock |
DIP w/Int. Batt. |
Pwr. Cap Pckg. |
Battery Monitor |
With GPIO |
VSUPPLY
(V) |
VSUPPLY
(V) |
Price |
| min |
max |
See Notes |
| DS1230W |
NV SRAM |
32K x 8 |
Parallel |
No |
Yes |
Yes |
No |
No |
3 |
3.6 |
$7.50 @1k |
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全Memory (EPROM, EEPROM, ROM, NV SRAM) (52)
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図
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ピン配列
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2007-12-20
このページの最終更新日： 2009-10-28
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