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フルデータシート (PDF, 244kB) 英語 ダウンロードする 256k不揮発性(NV) SRAMのDS1230は、262,144ビット(32,768ワード x 8ビット構成)の完全スタティック不揮発性SRAMです。各NV SRAMは、リチウム電池と制御回路を内蔵し、これらによってVCCの許容範囲からの外れを常に監視しています。VCCが許容範囲から外れると、リチウム電池が自動的にオンになり、書込み保護が無条件に有効になってデータ破壊を防止します。DIPパッケージのDS1230デバイスは、通常のバイト長の28ピンDIP規格に適合した既存の32k x 8スタティックRAMと置換使用できます。また、このDIPデバイスは、ピン配列が28256 EEPROMと同一なので、性能を向上させる際にそのまま置換使用できます。薄型モジュールパッケージで提供されるDS1230は、そのまま表面実装することができます。実行可能な書込みサイクル数に制限はなく、マイクロプロセッサとのインタフェースに対し回路を追加する必要がありません。

主な特長

外部電源なしで最低10年間データを保持 停電中は、データを自動的に保護 32k x 8揮発性スタティックRAM、EEPROM、またはフラッシュメモリに置換え可能 無制限の書込みサイクル 低電力CMOS 高速70nsの読取り/書込みアクセス時間 電源が初期投入まで、リチウム電池を電気的に切断 最大±10% VCCの動作範囲(DS1230Y) オプションとして、±5% VCCの動作範囲(DS1230AB) オプションとして、-40℃～+85℃の工業用温度範囲(INDと指定) JEDEC規格準拠28ピンDIPパッケージ PowerCapモジュール(PCM)パッケージ 直接表面実装可能なモジュール 交換可能なスナップ式PowerCapによりリチウムバックアップ電池を実装 すべての不揮発性SRAM製品を考慮し標準化したピン配列 一般のスクリュードライバでPowerCapの取外しは容易

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