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DS1230AB, DS1230Y
256k不揮発性SRAM


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ステータス
入手可能:生産中

製品概要
フルデータシート (PDF, 288kB)
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256k不揮発性(NV) SRAMのDS1230は、262,144ビット(32,768ワード x 8ビット構成)の完全スタティック不揮発性SRAMです。各NV SRAMは、リチウム電池と制御回路を内蔵し、これらによってVCCの許容範囲からの外れを常に監視しています。VCCが許容範囲から外れると、リチウム電池が自動的にオンになり、書込み保護が無条件に有効になってデータ破壊を防止します。DIPパッケージのDS1230デバイスは、通常のバイト長の28ピンDIP規格に適合した既存の32k x 8スタティックRAMと置換使用できます。また、このDIPデバイスは、ピン配列が28256 EEPROMと同一なので、性能を向上させる際にそのまま置換使用できます。薄型モジュールパッケージで提供されるDS1230は、そのまま表面実装することができます。実行可能な書込みサイクル数に制限はなく、マイクロプロセッサとのインタフェースに対し回路を追加する必要がありません。

この製品にはリチウム金属電池が含まれています。機器に組み込まれたバッテリの輸送規定については適用される規制を参照してください。

主な特長
  • 外部電源なしで最低10年間データを保持
  • 停電中は、データを自動的に保護
  • 32k x 8揮発性スタティックRAM、EEPROM、またはフラッシュメモリに置換え可能
  • 無制限の書込みサイクル
  • 低電力CMOS
  • 高速70nsの読取り/書込みアクセス時間
  • 電源が初期投入まで、リチウム電池を電気的に切断
  • 最大±10% VCCの動作範囲(DS1230Y)
  • オプションとして、±5% VCCの動作範囲(DS1230AB)
  • オプションとして、-40℃~+85℃の工業用温度範囲(INDと指定)
  • JEDEC規格準拠28ピンDIPパッケージ
  • PowerCapモジュール(PCM)パッケージ
    • 直接表面実装可能なモジュール
    • 交換可能なスナップ式PowerCapによりリチウムバックアップ電池を実装
    • すべての不揮発性SRAM製品を考慮し標準化したピン配列
    • 一般のスクリュードライバでPowerCapの取外しは容易
  • UL® (Underwriters Laboratories)認定

Key Specifications:  Memory (EPROM, EEPROM, ROM, NV SRAM)
Part Number Memory Type Memory Size Bus Type Real Time Clock DIP w/Int. Batt. Pwr. Cap Pckg. Battery Monitor With GPIO VSUPPLY
(V)
VSUPPLY
(V)
Price
min max See Notes
DS1230AB  NV SRAM 32K x 8 Parallel No Yes Yes No No 4.75 5.25 $7.50 @1k
DS1230Y  4.5 5.5 $7.50 @1k
全Memory (EPROM, EEPROM, ROM, NV SRAM) (52)

DS1230AB、DS1230Y:ピン配列
ピン配列

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    2007-12-20
    このページの最終更新日: 2009-10-28


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