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フルデータシート (PDF, 252kB) 英語 ダウンロードする 1024k不揮発性(NV) SRAMのDS1245は、1,048,576ビット(131,072ワード x 8ビット構成)の完全スタティック、不揮発性SRAMです。各NV SRAMは、リチウム電池と制御回路を内蔵し、これらによってVCCの許容範囲からの外れを常に監視しています。VCCが許容範囲から外れると、リチウム電池が自動的にオンになり、書込み保護が無条件に有効になってデータ破壊を防止します。DIPパッケージのDS1245は、通常のバイト長の32ピンDIP規格に適合する既存の128k x 8スタティックRAMと置換使用できます。PowerCapモジュールパッケージのDS1245は、そのまま表面実装することができ、通常はDS9034PCというPowerCapとペアにして完全な不揮発性SRAMモジュールを構成します。実行可能な書込みサイクル数に制限はなく、マイクロプロセッサとのインタフェースに対し回路追加の必要がありません。

主な特長

外部電源なしで最低10年間データを保持 停電中は、データを自動的に保護 128k x 8揮発性スタティックRAM、EEPROM、またはフラッシュメモリに置換え可能 無制限の書込みサイクル 低電力CMOS 高速70nsの読取り/書込みアクセス時間 電源初期投入まで、リチウム電池を電気的に切断 VCC ±10%の動作電圧範囲(DS1245Y) オプションとして、VCC ±5%の動作電圧範囲(DS1245AB) オプションとして、-40℃～+85℃の工業用温度範囲(INDと指定) JEDEC規格準拠32ピンDIPパッケージ PowerCapモジュール(PCM)パッケージ 直接表面実装可能なモジュール 交換可能なスナップ式PowerCapによりリチウムバックアップ電池を供給 すべての不揮発性SRAM製品を考慮して標準化したピン配列 一般のスクリュードライバでPowerCapは容易に取外し可能

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