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フルデータシート (PDF, 196kB) 英語 ダウンロードする 2048k不揮発性(NV) SRAMのDS1249は、2,097,152ビット(262,144ワード x 8ビット構成)の完全スタティック、不揮発性SRAMです。各NV SRAMは、リチウム電池と制御回路を内蔵し、これによってVCCの許容範囲からの外れを常に監視しています。VCCが許容範囲から外れると、リチウム電池が自動的にオンになり、書込み保護が無条件に有効になってデータ破壊を防止します。実行可能な書込みのサイクル数に制限はなく、マイクロプロセッサとのインタフェースとしてサポート回路を追加する必要がありません。

主な特長

外部電源なしで最低10年間データを保持 停電中は、データを自動的に保護 無制限の書込みサイクル 低電力CMOS動作 高速70nsの読取り/書込みアクセス時間 電源初期投入まで、リチウム電池を電気的に切断 VCC ±10%の動作電圧範囲(DS1249Y) オプションとして、VCC ±5%の動作電圧範囲(DS1249AB) オプションとして、-40℃～+85℃の工業用(IND)温度範囲 JEDEC規格準拠32ピンDIPパッケージ UL® (Underwriters Laboratories)認定

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