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フルデータシート (PDF, 240kB) 英語 ダウンロードする 3.3V 4096k NV SRAMのDS1250Wは、4,194,304ビット(524,288ワードx 8ビット構成)の完全スタティック、不揮発性SRAMです。各NV SRAMは、リチウム電池と制御回路を内蔵し、これによってVCCの許容範囲からの外れを常に監視しています。VCCが許容範囲から外れると、リチウム電池が自動的にオンになり、書込み保護が無条件に有効になりデータ破壊を防止します。DIPパッケージDS1250Wデバイスは、通常のバイト長の32ピンDIP規格に適合する既存の512k x 8スタティックRAMと置換使用できます。また、PowerCapモジュールパッケージのDS1250Wデバイスは、そのまま表面実装でき、通常はDS9034PC PowerCapとペアで完全な不揮発性SRAMモジュールを構成します。実行可能な書込みのサイクル数に制限がなく、マイクロプロセッサとのインタフェースに対して回路追加の必要がありません。

主な特長

外部電源なしで最低10年間データを保持 停電中は、データを自動的に保護 512k x 8揮発性スタティックRAM、EEPROM、またはフラッシュメモリに置換え可能 無制限の書込みサイクル 低電力CMOS 高速100nsの読取り/書込みアクセス時間 電源初期投入まで、リチウム電池を電気的に切断 オプションとして、-40℃～+85℃の工業用温度範囲(INDと指定) JEDEC規格準拠32ピンDIPパッケージ PowerCapモジュール(PCM)パッケージ 直接表面実装可能なモジュール 交換可能なスナップ式PowerCapによりリチウムバックアップ電池を供給 すべての不揮発性SRAM製品を考慮して標準化したピン配列 一般のスクリュードライバでPCMは容易に取外し可能

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