DS1250AB, DS1250Y
4096k不揮発性SRAM
製品概要
4096k不揮発性SRAMのDS1250は、4,194,304ビット(524,288ワードx 8ビット構成)の完全スタティック、不揮発性SRAMです。各NV SRAMは、リチウム電池と制御回路を内蔵し、これによってVCC の許容範囲からの外れが常に監視されます。VCC が許容範囲から外れると、リチウム電池が自動的にオンになり、書込み保護が無条件に有効になりデータ破壊を防止します。DIPパッケージDS1250デバイスは、通常のバイト長の32ピンDIP規格に適合する既存の512k x 8スタティックRAMと置換使用することができます。また、PowerCapモジュールパッケージのDS1250デバイスは、そのまま表面実装可能で、通常はDS9034PC PowerCapとペアで完全な不揮発性SRAMモジュールを構成します。実行可能な書込みのサイクル数に制限がなく、マイクロプロセッサとのインタフェースに対して回路の追加の必要がありません。
主な特長
外部電源なしで最低10年間データを保持
停電中は、データを自動的に保護
512k x 8揮発性スタティックRAM、EEPROM、またはフラッシュメモリに置換え可能
無制限の書込みサイクル
低電力CMOS
高速70nsの読取り/書込みアクセス時間
電源初期投入まで、リチウム電池を電気的に切断
±10% VCC の動作電圧範囲(DS1250Y)
オプションとして、±5% VCC の動作電圧範囲(DS1250AB)
オプションとして、-40℃～+85℃の工業用温度範囲(INDと指定)
JEDEC規格準拠32ピンDIPパッケージ
PowerCapモジュール(PCM)パッケージ
直接表面実装可能なモジュール
交換可能なスナップ式PowerCapによりリチウムバックアップ電池を供給
すべての不揮発性SRAM製品を考慮して標準化したピン配列
PCMは一般のスクリュードライバで容易に取外し可能
UL® (Underwriters Laboratories)認定
Key Specifications:
Memory (EPROM, EEPROM, ROM, NV SRAM)
Part Number
Memory Type
Memory Size
Bus Type
Real-Time Clock
DIP with Internal Battery
PowerCap Package
Battery Monitor
With GPIO
Supply Voltage (min) (V)
Supply Voltage (max) (V)
Price**
DS1250AB
NV SRAM
512K x 8
Parallel
No
Yes
Yes
No
No
4.75
5.25
$44.79 @ 1k
DS1250Y
4.5
5.5
$44.79 @ 1k
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2007-12-20
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