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フルデータシート (PDF, 208kB) 英語 ダウンロードする 128k x 16不揮発性(NV) SRAMのDS1258は、2,097,152ビット(131,072ワード x 16ビット構成)の完全スタティックNV SRAMです。各NV SRAMは、リチウムバッテリと制御回路を内蔵し、これらによってVCCの許容範囲からの外れを常に監視します。VCCが許容範囲から外れると、リチウムバッテリが自動的にオンになり、書込み保護が無条件に有効になりデータ破壊が防止されます。DIPパッケージのDS1258の各デバイスは、さまざまな個別部品の利用によってNV 128k x 16メモリを構成するソリューションの代りに使用できます。実行可能な書込みサイクル数に制限がなく、マイクロプロセッサとのインタフェースには回路の追加の必要はありません。

主な特長

外部電源なしで最低10年間データ保持 停電中のデータ自動保護 上位バイトと下位バイトを別々のチップにセレクト入力 無制限の書込みサイクル 低電力CMOS 高速70nsの読取り/書込みアクセス時間 電源初期投入まで、リチウムバッテリを電気的に切断 ±10%の動作電圧範囲(DS1258Y) オプションとして±5%の動作電圧範囲(DS1258AB) オプションとして-40℃～+85℃の工業用温度範囲(INDのサフィックス) UL® (Underwriters Laboratories)認定

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