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ステータス

入手可能：生産中

製品概要

フルデータシート (PDF, 196kB) 英語 ダウンロードする 8M不揮発性SRAMのDS1265は、8,388,608ビット(1,048,576ワード x 8ビット構成)の完全スタティック不揮発性SRAMです。各NV SRAMは、リチウムバッテリと制御回路を内蔵し、これらによってVCCの許容範囲からの外れを常に監視します。VCCが許容範囲から外れると、リチウムバッテリが自動的にオンになり、書込み保護が無条件に有効になりデータ破壊が防止されます。実行可能な書込みサイクル数に制限がなく、マイクロプロセッサとのインタフェースには回路の追加の必要はありません。

この製品にはリチウム金属電池が含まれています。機器に組み込まれたバッテリの輸送規定については適用される規制を参照してください。

主な特長

外部電源なしで最低10年間データ保持 停電中のデータ自動保護 無制限の書込みサイクル 低電力CMOS動作 高速70nsの読取り/書込みアクセス時間 電源初期投入まで、リチウムバッテリを電気的に切断 VCC ±10%の動作電圧範囲(DS1265Y) オプションとしてVCC ±5%の動作電圧範囲(DS1265AB) オプションとして-40℃～+85℃の工業用温度範囲(INDのサフィックス) UL® (Underwriters Laboratories)認定

図

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