DS1270AB, DS1270Y 16M不揮発性SRAM

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製品概要

フルデータシート (PDF, 200kB)
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16M不揮発性SRAMのDS1270は、16,777,216ビット(2,097,152ワード x 8ビット構成)の完全スタティック不揮発性SRAMです。各NV SRAMは、リチウムバッテリと制御回路を内蔵し、これらによってV_CCの許容範囲からの外れを常に監視します。V_CCが許容範囲から外れると、リチウムバッテリが自動的にオンになり、書込み保護が無条件に有効になりデータ破壊が防止されます。実行可能な書込みサイクル数に制限がなく、マイクロプロセッサとのインタフェースには回路の追加の必要はありません。

主な特長

外部電源なしで最低5年間データ保持
停電中のデータ自動保護
無制限の書込みサイクル
低電力CMOS動作
高速70nsの読取り/書込みアクセス時間
電源初期投入まで、リチウムバッテリを電気的に切断
V_CC ±10%の動作電圧範囲(DS1270Y)
オプションとしてV_CC ±5%の動作電圧範囲(DS1270AB)
オプションとして-40℃～+85℃の工業用温度範囲(IND)

Key Specifications: Memory (EPROM, EEPROM, ROM, NV SRAM)

Part Number

Memory Type

Memory Size

Bus Type

Real-Time Clock

DIP with Internal Battery

PowerCap Package

Battery Monitor

With GPIO

Single Piece Module

Supply Voltage (min) (V)

Supply Voltage (max) (V)

RoHS Available

Package

Operating Temp. Range (°C)

Price^**

DS1270AB

NV SRAM

2M x 8

Parallel

Yes

4.75

5.25

Yes

MOD/36

-40 to +85
0 to +70

$113.02 @ 1k

DS1270Y

4.5

5.5

$113.02 @ 1k

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Notes:
^**This pricing is BUDGETARY, for comparing similar parts. Prices are in U.S. dollars and subject to change. Quantity pricing may vary substantially and international prices may differ due to local duties, taxes, fees, and exchange rates. For volume-specific prices and delivery, please see the price and availability page or contact an authorized distributor.

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2006-09-01
このページの最終更新日： 2007-06-18

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