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フルデータシート (PDF, 236kB) 英語 ダウンロードする 3.3V 256k NV SRAMのDS1330Wは、262,144ビット(32,768ワード x 8ビット構成)の完全スタティック不揮発性SRAMです。各NV SRAMは、リチウムバッテリと制御回路を内蔵し、これらによってVCCの許容範囲からの外れを常に監視します。VCCが許容範囲から外れると、リチウムバッテリが自動的にオンになり、書込み保護が無条件に有効になってデータ破壊が防止されます。また、DS1330Wは、VCCのステータスと内蔵リチウムバッテリのステータスを監視するための専用回路を備えています。PowerCapモジュールパッケージのDS1330Wデバイスは、そのまま表面実装でき、通常はDS9034PC PowerCapとペアにして完全な不揮発性SRAMモジュールを構成します。このデバイスは、32k x 8 SRAM、EEPROM、またはフラッシュメモリの代替部品として使用できます。

主な特長

外部電源なしで最低10年間データ保持 無電源時データ自動保護 VCCの起動中にVCCに電力損失が発生しプロセッサがリセット状態で、電源モニタはプロセッサをリセット バッテリモニタが残存容量を毎日チェック 100nsの高速読取り/書込みアクセス時間 無制限書込みサイクル可能 標準スタンバイ電流：50µA 32k x 8 SRAM、EEPROM、またはフラッシュメモリのアップグレード品 電源初期投入まで、リチウムバッテリを電気的に切断 オプションの-40℃～+85℃の工業用温度範囲(IND) PowerCapモジュール(PCM)パッケージ 直接表面実装可能なモジュール 交換可能なスナップ式PowerCapによるリチウムバックアップバッテリ供給 全不揮発性SRAM製品で標準化ピン配列 一般のスクリュードライバでPowerCapは簡単に取外し可能

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