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DS1330W
バッテリモニタ付き、3.3V、256k不揮発性SRAM
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製品概要
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3.3V 256k NV SRAMのDS1330Wは、262,144ビット(32,768ワード x 8ビット構成)の完全スタティック不揮発性SRAMです。各NV SRAMは、リチウムバッテリと制御回路を内蔵し、これらによってVCCの許容範囲からの外れを常に監視します。VCCが許容範囲から外れると、リチウムバッテリが自動的にオンになり、書込み保護が無条件に有効になってデータ破壊が防止されます。また、DS1330Wは、VCCのステータスと内蔵リチウムバッテリのステータスを監視するための専用回路を備えています。PowerCapモジュールパッケージのDS1330Wデバイスは、そのまま表面実装でき、通常はDS9034PC PowerCapとペアにして完全な不揮発性SRAMモジュールを構成します。このデバイスは、32k x 8 SRAM、EEPROM、またはフラッシュメモリの代替部品として使用できます。
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主な特長
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- 外部電源なしで最低10年間データ保持
- 無電源時データ自動保護
- VCCの起動中にVCCに電力損失が発生しプロセッサがリセット状態で、電源モニタはプロセッサをリセット
- バッテリモニタが残存容量を毎日チェック
- 100nsの高速読取り/書込みアクセス時間
- 無制限書込みサイクル可能
- 標準スタンバイ電流：50µA
- 32k x 8 SRAM、EEPROM、またはフラッシュメモリのアップグレード品
- 電源初期投入まで、リチウムバッテリを電気的に切断
- オプションの-40℃～+85℃の工業用温度範囲(IND)
- PowerCapモジュール(PCM)パッケージ
- 直接表面実装可能なモジュール
- 交換可能なスナップ式PowerCapによるリチウムバックアップバッテリ供給
- 全不揮発性SRAM製品で標準化ピン配列
- 一般のスクリュードライバでPowerCapは簡単に取外し可能
- UL® (Underwriters Laboratories)認定
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| Key Specifications: Memory (EPROM, EEPROM, ROM, NV SRAM) |
| Part Number |
Memory Type |
Memory Size |
Bus Type |
Real Time Clock |
DIP w/Int. Batt. |
Pwr. Cap Pckg. |
Battery Monitor |
With GPIO |
VSUPPLY
(V) |
VSUPPLY
(V) |
Price |
| min |
max |
See Notes |
| DS1330W |
NV SRAM |
32K x 8 |
Parallel |
No |
No |
Yes |
Yes |
No |
3 |
3.6 |
$8.56 @1k |
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全Memory (EPROM, EEPROM, ROM, NV SRAM) (52)
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図
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ピン配列
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2006-09-05
このページの最終更新日： 2009-10-28
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