NVトリプルポテンショメータ、メモリおよびMicroMonitor™の DS1846は、2つの10kΩの100ポジション直線テーパポテンショメータ、1つの100kΩの256ポジションリニアテーパポテンショメータ、256バイトEEPROMメモリ、およびMicroMonitorで構成されています。このデバイスによって、制御アプリケーションにおけるバイアス電圧とバイアス電流の最適設定が、最小限の回路で実現できます。
EEPROMメモリに、ユーザは特定のシステムやデバイスに関する設定データやキャリブレーションデータを保存でき、ポテンショメータのワイパ設定値を制御できます。どんな種類のユーザ情報も、このメモリの最初の248バイト(00h～F7h)に保存できます。メモリの次の3バイト(F8h～FAh)はポテンショメータの設定値用であり、EEPROMメモリの5つの最終アドレス(FBh～FFh)は予備です。これらの予備レジスタとポテンショメータレジスタは、データの保存に使用できません。このEEPROMへのアクセスは、業界標準の2線式バスを用います。インタフェースI/Oピンは、SDAとSCLです。DS1846のワイパ位置は、EEPROMデータと同様、WP入力ピンを用いてハードウェアによる書込み保護ができます。
MicroMonitorは、温度補償された高精度のリファレンスとコンパレータで構成され、マイクロプロッセサに関するきわめて重要な特定のステータス状態をモニタします。センス入力が許容範囲(VCCの)から外れた状態を検出すると、マスクなし割込みが発生します。デバイスの電圧が低下すると、内部電源障害信号が発生してプロセッサをリセットします。VCCが許容範囲内のレベルに復帰すると、電源とプロセッサの安定のために、リセット信号は、tRST以上の時間アクティブな状態を維持します。また、MicroMonitorには、プッシュボタンによるリセット制御機能があります。プッシュボタン入力は、内部で振動抑制され、最小パルス幅tRSTのアクティブパルスを発生します。
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