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ステータス

全バージョンは製造を中止しており最終購入(Last Time Buy)の対象となっており、新規注文は受け付けておりません。推奨置換品についてはオーダー情報をご覧ください。

製品概要

フルデータシート (PDF, 168kB) 英語 ダウンロードする 2k x 8、3V/5V動作スタティックRAMのDS2016は、CMOS技術を使用して2048ワードx 8ビットで構成された16,384ビット、低電力、完全スタティックランダムアクセスメモリです。この製品は2.7V～5.5Vの電圧入力を備えた単一電源で動作します。チップイネーブル入力(アクティブローCE)がデバイス選択に使用され、最小スタンバイ電流モードを実現するために使用可能です。このモードによってバッテリの動作およびバッテリバックアップアプリケーションがスムーズになります。この製品は、5V電源入力から動作した場合100nsの高速アクセス時間を提供し、3V入力から動作した場合は250nsのアクセスという比較的優れた性能も提供します。このデバイスは2.7V～5.5Vの入力電圧範囲でTTLレベル入力および出力を維持します。DS2016は不揮発性向けバッテリ動作またはバッテリバックアップが必要な低電力アプリケーションに最適です。DS2016は、JEDEC規格2k x 8 SRAMで、同程度の密度のROMやEPROMとピンコンパチブルです。

主な特長

低電力CMOS設計 スタンバイ電流 50nA max (tA = 25℃、VCC = 3.0Vにて) 100nA max (tA = 25℃、VCC = 5.5Vにて) 1µA max (tA = +60℃、VCC = 5.5Vにて) 動作電圧：VCC = 5.5V～2.7V データ保持電圧：5.5V～2.0V 高速5Vアクセスタイム DS2016-100100ns 減速3Vアクセスタイム DS2016-100250ns 動作温度範囲：-40℃～+85℃ 完全スタティック動作 5.5V～2.7Vの電圧範囲でTTLコンパチブル入力と出力 24ピンDIPと24ピンSOPパッケージ バッテリ駆動とバッテリバックアップのアプリケーションの両方に最適

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