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DS1225Y 64K不揮発性SRAM

新規設計用アップグレード推奨品
型番	推奨置換品	説明
DS1225Y	DS1225AD	1) DS1220YおよびDS1225Yの書込み保護電圧(Vtp)は内部分圧回路(～1.26 x VBat)によって決まります。モジュールの内部バッテリが劣化すると、対応するVtpも劣化し、システムの電力損失に対するモジュールの応答が変化します。AB/ADバージョンには、バッテリとは独立した、高精度バンドギャップリファレンス電圧があります。 2) バッテリ搭載製品の保管および取扱いは、新モジュールの10年のデータ保持期間を実現するのに重要です。DS1220YおよびDS1225Yにはフレッシュネスシール(未使用保証)回路がなく、つまり、AB/ADバージョンのようにお客様の使用開始日からカウントされるのとは異なり、10年間保証は製造日より開始されます。
DS1225Y-200+	DS1225AD
DS1225Y-200IND+	DS1225AD
DS1225Y-150+	DS1225AD
DS1225Y-150IND+	DS1225AD
DS1225Y-170+	DS1225AD
DS1225Y-200	DS1225AD
DS1225Y-200IND	DS1225AD
DS1225Y-150	DS1225AD
DS1225Y-150IND	DS1225AD
DS1225Y-170	DS1225AD

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製品概要

フルデータシート (PDF, 176kB)

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64K不揮発性SRAMのDS1225Yは、65,536ビット(8192ワードx 8ビット構成)の完全スタティック不揮発性RAMです。各NV SRAMは、リチウム電池と制御回路を内蔵し、これらによってV_CCの許容範囲からの外れを常に監視しています。V_CCが許容範囲から外れると、リチウム電池が自動的にオンになり、書込み保護が無条件に有効になってデータ破壊が防止されます。NV SRAMは、既存の8k x 8 SRAMの代りに使用でき、通常のバイト長の28ピンDIP規格にそのまま適合します。また、DS1225Yは、ピン配列が2764 EPROMや2864 EEPROMに一致するので、性能を向上させる際にそのまま代替品となります。実行可能な書込みサイクル数に制限がなく、マイクロプロセッサとのインタフェースに対し回路を追加する必要がありません。

主な特長

外部電源なしで最低10年間データを保持
停電中は、データを自動的に保護
2k x 8揮発性スタティックRAMまたはEEPROMに直接置換え可能
無制限の書込みサイクル
低電力CMOS
JEDEC規格準拠28ピンDIPパッケージ
高速150nsの読取り/書込みアクセス時間
最大±10%の動作範囲
オプションとして、-40℃～+85℃の工業用温度範囲(INDと指定)
UL® (Underwriters Laboratories)認定

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2007-12-20
このページの最終更新日： 2009-06-04