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DS1270W
3.3V、16Mb不揮発性SRAM
最高16Mb密度を提供する3.3V不揮発性SRAM
製品概要
16Mb不揮発性(NV) SRAMのDS1270Wは、16,777,216ビット(2,097,152ワード x 8ビット構成)の完全スタティックNV SRAMです。各NV SRAMは、リチウムバッテリと制御回路を内蔵し、これらによってVCC の許容範囲からの外れを常に監視します。VCC が許容範囲から外れると、リチウムバッテリが自動的にオンになり、書込み保護が無条件に有効になりデータ破壊が防止されます。実行可能な書込みサイクル数に制限がなく、マイクロプロセッサとのインタフェースには回路の追加の必要はありません。
主な特長
アプリケーション/用途
外部電源なしで最低5年間データ保持
停電中のデータ自動保護
無制限の書込みサイクル
低電力CMOS動作
高速100nsの読取り/書込みアクセス時間
電源初期投入まで、リチウムバッテリを電気的に切断
オプションとして-40℃～+80℃の工業用温度範囲(IND)
Key Specifications:
Memory (EPROM, EEPROM, ROM, NV SRAM)
Part Number
Memory Type
Memory Size
Bus Type
Real-Time Clock
DIP with Internal Battery
PowerCap Package
Battery Monitor
With GPIO
Single Piece Module
Supply Voltage (min) (V)
Supply Voltage (max) (V)
RoHS Available
Package
Smallest Available Package (max w/pins) (mm2 )
Operating Temp. Range (°C)
Price**
DS1270W
NV SRAM
2M x 8
Parallel
No
Yes
No
No
No
No
3
3.6
Yes
MOD/36
862
-40 to +85
$113.02 @ 1k
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Notes:
** This pricing is BUDGETARY, for comparing similar parts. Prices are in
U.S. dollars and subject to change. Quantity pricing may vary
substantially and international prices may differ due to local
duties, taxes, fees, and exchange rates. For volume-specific prices
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2006-09-01
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法的お知らせ
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