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DS1249W
3.3V、2048kb不揮発性SRAM
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製品概要
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2048k不揮発性(NV) SRAMのDS1249Wは、2,097,152ビット(262,144ワード x 8ビット構成)の完全スタティック、NV SRAMです。各NV SRAMは、リチウム電池と制御回路を内蔵し、これによってVCCの許容範囲からの外れを常に監視しています。VCCが許容範囲から外れると、リチウム電池が自動的にオンになり、書込み保護が無条件に有効になってデータ破壊を防止します。実行可能な書込みのサイクル数に制限がなく、マイクロプロセッサとのインタフェースとしてサポート回路を追加する必要がありません。
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この製品にはリチウム金属電池が含まれています。機器に組み込まれたバッテリの輸送規定については適用される規制を参照してください。
| 主な特長 |
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アプリケーション/用途 |
| 外部電源なしで最低10年間データを保持
| | 停電中は、データを自動的に保護
| | 無制限の書込みサイクル
| | 低電力CMOS動作
| | 高速100nsの読取り/書込みアクセス時間
| | 電源初期投入まで、リチウム電池を電気的に切断
| | オプションとして、-40℃~+85℃の工業用(IND)温度範囲
| | JEDEC規格準拠32ピンDIPパッケージ | | UL® (Underwriters Laboratories)認定 |
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| Key Specifications: Memory (EPROM, EEPROM, ROM, NV SRAM) |
| Part Number |
Memory Type |
Memory Size |
Bus Type |
Real Time Clock |
DIP w/Int. Batt. |
Pwr. Cap Pckg. |
Battery Monitor |
With GPIO |
VSUPPLY (V) |
VSUPPLY (V) |
Price |
| min |
max |
See Notes |
| DS1249W |
NV SRAM |
256K x 8 |
Parallel |
No |
Yes |
No |
No |
No |
3 |
3.6 |
$27.37 @1k |
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全Memory (EPROM, EEPROM, ROM, NV SRAM) (52)
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図
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ピン配置
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2006-09-01
このページの最終更新日: 2009-10-27
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