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DS1265W
3.3V、8Mb不揮発性SRAM
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製品概要
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8Mb不揮発性(NV) SRAMのDS1265Wは、8,388,608ビット(1,048,576ワード x 8ビット構成)の完全スタティックNV SRAMです。各NV SRAMは、リチウムバッテリと制御回路を内蔵し、これらによってVCCの許容範囲からの外れを常に監視します。VCCが許容範囲から外れると、リチウムバッテリが自動的にオンになり、書込み保護が無条件に有効になりデータ破壊が防止されます。実行可能な書込みサイクル数に制限がなく、マイクロプロセッサとのインタフェースには回路の追加の必要はありません。
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この製品にはリチウム金属電池が含まれています。機器に組み込まれたバッテリの輸送規定については適用される規制を参照してください。
| Key Specifications: Memory (EPROM, EEPROM, ROM, NV SRAM) |
| Part Number |
Memory Type |
Memory Size |
Bus Type |
Real Time Clock |
DIP w/Int. Batt. |
Pwr. Cap Pckg. |
Battery Monitor |
With GPIO |
VSUPPLY
(V) |
VSUPPLY
(V) |
Price |
| min |
max |
See Notes |
| DS1265W |
NV SRAM |
1M x 8 |
Parallel |
No |
Yes |
No |
No |
No |
3 |
3.6 |
$69.55 @1k |
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全Memory (EPROM, EEPROM, ROM, NV SRAM) (52)
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図
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ピン配置
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2006-09-01
このページの最終更新日： 2009-10-27
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