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DS3070W
クロック付き、3.3Vシングルピース16Mb不揮発性SRAM

業界初、シングルピースのリフロー可能なNVSRAMモジュール


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データシート
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製品概要
DS3070Wは、スタティックRAM、不揮発性(NV)コントローラ、2000年問題対応リアルタイムクロック(RTC)、および再充電可能な内蔵型マンガンリチウム(ML)バッテリで構成されています。これらの構成部品は、256ボールBGAの実装面積を備える表面実装モジュールに収められています。VCCがモジュールに印加されているときは常に、MLバッテリは再充電され、クロックおよびSRAMは外部電源から給電されて、クロックレジスタやSRAMの内容を変更することができます。VCCが電源断となるか、または許容範囲外になると、コントローラによってメモリ内容が書込み保護され、クロックおよびSRAMの電源はバッテリから供給されます。また、DS3070Wは電源モニタ出力(/RST)とユーザプログラマブルな割込み出力(/IRQ/FT)も備えています。

主な特長   アプリケーション/用途
  • シングルピース、リフロー可能な27mm x 27mmのBGAパッケージの実装面積
  • RTC内蔵
  • MLバッテリおよびチャージャ内蔵
  • VCCが許容範囲外になると無条件にSRAMを書込み保護
  • VCC電源障害が発生した場合はバッテリ電源に自動切替え
  • 内蔵電源モニタによって、定格VCC (3.3V)を下回る電源障害を検出
  • リセット出力をマイクロプロセッサ用のCPU監視機能として使用可能
  • 工業用温度範囲:-40℃~+85℃
  • UL認定済み

     
  • データ収集システム
  • 火災警報器
  • ゲーム
  • 産業用コントローラ
  • PLC
  • POS端末
  • RAIDシステムおよびサーバ
  • ルータ/スイッチ

    Key Specifications:   Memory (EPROM, EEPROM, ROM, NV SRAM)
    Part Number Memory Type Memory Size Bus Type Real-Time Clock DIP with Internal Battery PowerCap Package Battery Monitor With GPIO Single Piece Module Features Supply Voltage (min) (V) Supply Voltage (max) (V) RoHS Available Package Smallest Available Package (max w/pins) (mm2) Operating Temp. Range (°C) Price**
    DS3070W  NV SRAM 2M x 8 Parallel Yes No No No No Yes
    µP Reset
    Periodic Interrupt
    3 3.6 Yes MOD/256 729 -40 to +85 $48.93 @ 1k
    See All Memory (EPROM, EEPROM, ROM, NV SRAM) (69)

    Key Specifications:   Timekeeping & Real-Time Clocks
    Part Number Functions Time Format (hh = sec/100) Date Format Interface Supply Voltage (V) Memory Type Memory Size (Bytes) Number of Time of Day Alarms Features RoHS Available Package Smallest Available Package (max w/pins) (mm2) Operating Temp. Range (°C) Price**
    DS3070W 
    Watchdog Timekeeper
    HH:MM:SS YYYY-MM-DD Bytewide 3.3 NV SRAM 2M 1
    µP Reset
    Periodic Interrupt
    Yes MOD/256 729 -40 to +85 $48.93 @ 1k
    See All Timekeeping & Real-Time Clocks (86)
    Notes:
    **This pricing is BUDGETARY, for comparing similar parts. Prices are in U.S. dollars and subject to change. Quantity pricing may vary substantially and international prices may differ due to local duties, taxes, fees, and exchange rates. For volume-specific prices and delivery, please see the price and availability page or contact an authorized distributor.

    DS3070W:標準動作回路
    標準動作回路

    アプリケーションノート
  • App Note 202: NV SRAM Frequently Asked Questions - DS3070W (English only)
  • App Note 2077: Using Dallas Semiconductor NV SRAMs in RAID Applications - DS3070W (English only)
  • App Note 3118: Replacing a PowerCap Module with a Reflowable BGA Module - DS3070W (English only)
  • アプリケーションノート3693:マキシムがシングルピースNV SRAMモジュールの設計を選択する理由 - DS3070W
  • App Note 3759: Timing Considerations When Using NVSRAM - DS3070W (English only)
  • App Note 3954: Characteristics of Manganese Lithium (ML) Batteries - DS3070W (English only)

    評価キット
    なし

    デザインガイド
  • 不揮発性メモリ (PDF)

    信頼性レポート
  • 信頼性レポートの請求: (English only)

    ソフトウェア/モデル
    なし

    オーダー情報
    注:

    1. 製品購入のための方法およびリンク:http://japan.maxim-ic.com/sales
    2. 必要な情報が見つかりませんか?マキシムのアプリケーションエンジニアに質問してください。通常翌営業日以内に、製品を探すための専門的なお手伝いをします。
    3. 型番サフィックス:TまたはT&R = テープ&リール、 + = RoHS/鉛フリー、# = RoHS/鉛免除。詳細:フルデータシートまたはマキシム製品の型番の見方を参照。
    4. *パッケージの中にはいくつかのバリエーションがあるものがあり、図面に記載されています。「パッケージコード/バリエーション」は製品が使用しているバリエーションを示しています。型番サフィックスにある「+」、「#」、「-」はRoHSステータスを表わすことに注意してください。パッケージ図面は異なるサフィックス文字を示すことがあります。


    デバイス: 1-1 / 1

    DS3070W 無料
    サンプル
    直接購入 (English Only)
    パッケージ: タイプ ピン数 実装面積
      図面コード/バリエーション *
    温度範囲 RoHS/鉛フリー
    成分分析
    DS3070W-100#  
    MOD、256ピン、729mm²
    図面: 56-G6031-001A (PDF)
    使用パッケージコード/バリエーション:SPM#5*
    -40℃~+85℃ RoHS/鉛フリー:RoHS準拠
    成分分析

    その他の情報
  • 新製品プレスリリース 2006-11-30 

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    2006-10-17
    このページの最終更新日: 2006-10-17



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