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DS3070W
クロック付き、3.3Vシングルピース16Mb不揮発性SRAM

業界初、シングルピースの、リフロー可能なNVSRAMモジュール


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ステータス
全バージョンは製造を中止しており最終購入(Last Time Buy)の対象となっており、新規注文は受け付けておりません。

製品概要
フルデータシート (PDF, 284kB)
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DS3070Wは、スタティックRAM、不揮発性(NV)コントローラ、2000年問題対応リアルタイムクロック(RTC)、および再充電可能な内蔵型マンガンリチウム(ML)バッテリで構成されています。これらの構成部品は、256ボールBGAの実装面積を備える表面実装モジュールに収められています。VCCがモジュールに印加されているときは常に、MLバッテリは再充電され、クロックおよびSRAMは外部電源から給電されて、クロックレジスタやSRAMの内容を変更することができます。VCCが電源断となるか、または許容範囲外になると、コントローラによってメモリ内容が書込み保護され、クロックおよびSRAMの電源はバッテリから供給されます。また、DS3070Wは電源モニタ出力(/RST)とユーザプログラマブルな割込み出力(/IRQ/FT)も備えています。

主な特長   アプリケーション/用途
  • シングルピース、リフロー可能な27mm x 27mmのBGAパッケージの実装面積
  • RTC内蔵
  • MLバッテリおよびチャージャ内蔵
  • VCCが許容範囲外になると無条件にSRAMを書込み保護
  • VCC電源障害が発生した場合はバッテリ電源に自動切替え
  • 内蔵電源モニタによって、定格VCC (3.3V)を下回る電源障害を検出
  • リセット出力をマイクロプロセッサ用のCPU監視機能として使用可能
  • 工業用温度範囲:-40℃~+85℃
  • UL® (Underwriters Laboratories)認定
 

DS3070W:標準動作回路
標準動作回路

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    2006-10-17
    このページの最終更新日: 2006-10-17


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