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メモリ:揮発性、NV、マルチ機能
DS3030W
クロック付き、3.3Vシングルピース256kb不揮発性SRAM
DS3030W:RTC内蔵、3.3Vシングルピース256k不揮発性SRAM
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(PDF, 284kB)
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DS3030Wは、スタティックRAM、不揮発性(NV)コントローラ、2000年問題対応リアルタイムクロック(RTC)、および再充電可能な内蔵型マンガンリチウム(ML)バッテリで構成されています。これらの構成部品は、256ボールBGAの実装面積を持つ表面実装モジュールに収められています。V
CC
がモジュールに印加されているときは常に、MLバッテリは再充電され、クロックおよびSRAMは外部電源から給電されて、クロックレジスタやSRAMの内容を変更することができます。V
CC
がパワーダウンされるか、または許容範囲外になると、コントローラによってメモリ内容は書込み保護され、クロックおよびSRAMはバッテリから給電されます。また、DS3030Wは電源モニタ出力(/RST)とユーザプログラマブルな割込み出力(/IRQ/FT)も備えています。
主な特長
アプリケーション/用途
シングルピース、リフロー可能な実装面積27mm x 27mmのBGAパッケージ
マンガンリチウムバッテリおよびチャージャ内蔵
リアルタイムクロック内蔵
V
CC
が許容範囲外になると無条件にクロックおよびSRAMを書込み保護
V
CC
電源障害が発生した場合はバッテリ電源に自動切替え
リセット出力をCPU監視機能として使用可能
割込み出力をCPUウォッチドッグタイマとして使用可能
工業用温度範囲:-40℃~+85℃
UL認定済み
データ収集システム
火災警報器
ゲーム
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PLC
POS端末
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図
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2006-10-12
このページの最終更新日: 2006-10-12
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