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メモリ:揮発性、NV、マルチ機能
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計時、タイマ、およびカウンタ
]
DS3045W
クロック付き、3.3Vシングルピース1Mb不揮発性SRAM
DS3045W:RTC内蔵、3.3Vシングルピース1M不揮発性SRAM
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製品概要
DS3045Wは、スタティックRAM、不揮発性(NV)コントローラ、2000年問題対応リアルタイムクロック(RTC)、および再充電可能な内蔵型マンガンリチウム(ML)バッテリで構成されています。これらの構成部品は、256ボールBGAの実装面積を持つ表面実装モジュールに収められています。V
CC
がモジュールに印加されているときは常に、MLバッテリは再充電され、クロックおよびSRAMは外部電源から給電されて、クロックレジスタやSRAMの内容を変更することができます。V
CC
がパワーダウンされるか、または許容範囲外になると、コントローラによってメモリ内容は書込み保護され、クロックおよびSRAMはバッテリから給電されます。また、DS3045Wは電源モニタ出力(/RST)とユーザプログラマブルな割込み出力(/IRQ/FT)も備えています。
主な特長
アプリケーション/用途
シングルピース、リフロー可能な実装面積27mm x 27mmのBGAパッケージ
マンガンリチウムバッテリおよびチャージャ内蔵
リアルタイムクロック内蔵
V
CC
が許容範囲外になると無条件にクロックおよびSRAMを書込み保護
V
CC
電源障害が発生した場合はバッテリ電源に自動切替え
リセット出力をCPU監視機能として使用可能
割込み出力をCPUウォッチドッグタイマとして使用可能
工業用温度範囲:-40℃~+85℃
UL® (Underwriters Laboratories)認定
データ収集システム
火災警報器
ゲーム
産業用コントローラ
PLC
POS端末
RAIDシステムおよびサーバ
ルータ/スイッチ
図
標準動作回路
アプリケーションノート
Application Note 202: NV SRAM Frequently Asked Questions
- DS3045W (English only)
Application Note 2077: Using Dallas Semiconductor NV SRAMs in RAID Applications
- DS3045W (English only)
アプリケーションノート3693:マキシムがシングルピースNV SRAMモジュールの設計を選択する理由
- DS3045W
Application Note 3759: Timing Considerations When Using NVSRAM
- DS3045W (English only)
Application Note 3954: Characteristics of Manganese Lithium (ML) Batteries
- DS3045W (English only)
Application Note 4289: Low-Temperature Data Retention in Nonvolatile SRAM
- DS3045W (English only)
評価キット
なし
信頼性レポート
信頼性レポート:
DS3045W.pdf
(English only)
UL® (Underwriters Laboratories)認定
ソフトウェア/モデル
なし
オーダー情報
注:
製品購入のための方法およびリンク:
http://japan.maxim-ic.com/sales
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型番サフィックス:TまたはT&R = テープ&リール、 + = RoHS/鉛フリー、# = RoHS/鉛免除。詳細:
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または
マキシム製品の型番の見方
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*
パッケージの中にはいくつかのバリエーションがあるものがあり、図面に記載されています。「パッケージコード/バリエーション」は製品が使用しているバリエーションを示しています。型番サフィックスにある「+」、「#」、「-」はRoHSステータスを表わすことに注意してください。パッケージ図面は異なるサフィックス文字を示すことがあります。
この製品は販売しておりません。
その他の情報
新製品プレスリリース
2005-10-31
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評価キット
2006-10-12
このページの最終更新日: 2006-10-12
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