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ステータス
型番	ステータス
MAX1385	入手可能：生産中
MAX1386	開発中の製品

製品概要

フルデータシート (PDF, 508kB) 英語 ダウンロードする MAX1385/MAX1386は、携帯電話基地局に見られるデュアルRF LDMOSパワーデバイス用のバイアス状態の設定と制御を行います。各デバイスは、利得が2、10、および25から選択可能なハイサイド電流検出アンプを内蔵しており、20mA～5Aの範囲のLDMOSドレイン電流を監視します。2つの外付けダイオード接続トランジスタがLDMOS温度を監視すると同時に、内部温度センサがMAX1385/MAX1386のローカルのダイ温度を測定します。12ビットADCが、プログラマブルゲインアンプ(PGA)の出力、外部/内部温度の読取り、および2つの補助入力を変換します。 2つのゲートドライブチャネルは、それぞれ8ビット粗調整および10ビット微調整のDAC、およびゲートドライブアンプで構成され、LDMOSデバイスをバイアスする正ゲート電圧を生成します。MAX1385は利得2のゲートドライブアンプを備え、MAX1386のゲートドライブアンプの利得は4です。8ビット粗調整および10ビット微調整DACによって、最大18ビットの分解能が可能です。MAX1385/MAX1386は、自動較正機能を備えており、時間、温度、電源電圧全体においての誤差を最小限に抑えます。 MAX1385/MAX1386は、I²C/SPI™対応のシリアルインタフェースを備えています。いずれのデバイスも、4.75V～5.25Vのアナログ電源(3.2mA電源電流)、2.7V～5.25Vのディジタル電源(3.1mA電源電流)、および4.75V～11.0Vのゲートドライブ電源(4.5mA電源電流)で動作します。MAX1385/MAX1386は、48ピンTQFNパッケージで提供されます。

評価キットが入手可能です： MAX1385EVC16, MAX1385EVKIT  

主な特長		アプリケーション/用途
利得が2、10、または25のハイサイドドレイン電流検出PGA内蔵 検出電圧範囲(75mV～250mV)の精度：±0.5% フルスケール検出電圧：100mV (利得が25の場合) フルスケール検出電圧：250mV (利得が10の場合) LDMOS用ドレイン電圧コモンモード範囲：5V～30V ±10mAのゲートドライブによる調整可能な低ノイズ範囲：0～5V、出力ゲートバイアス電圧範囲：0～10V 0Vへの高速クランプによるLDMOS保護 ゲートバイアス電圧の8ビットDAC制御 温度によるゲートバイアスオフセットの10ビットDAC制御 内部ダイ温度測定 ダイオード接続トランジスタ(2N3904)による外部温度測定 温度、電流、および電圧の内部12ビットADC測定 選択可能なI²C/SPI対応のシリアルインタフェース 設定とデータ測定用400kHz/1.7MHz/3.4MHzのI²C対応の制御 設定とデータ測定用16MHzのSPI対応の制御 内部2.5Vリファレンス 3つのアドレス入力によってI²Cモードで8つのデバイスを制御		産業用プロセス制御 セルラ基地局のRF LDMOSバイアス制御

図

標準動作回路(I²Cモード)

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