- LDMOSバイアス特性を保存するための4Kb EEPROM内蔵
- 利得が2、10、または25のハイサイド電流検出PGA内蔵
- 検出電圧範囲(+75mV~+1250mV)の精度:±0.75%
- フルスケール検出電圧
- +100mV:利得25
- +250mV:利得10
- +250mV:利得2
- コモンモード範囲、LDMOSドレイン電圧:+5V~+32V
- 可変、低ノイズ、出力ゲートバイアス電圧範囲:0~AVDD
- AGNDへの高速クランプによるLDMOS保護
- 温度によるゲートの12ビットDAC制御
- 内部ダイ温度測定
- リモートダイオードによる2チャネル外部温度測定
- 内部12ビットADC測定による温度、電流、および電圧の監視
- ユーザ選択可能なシリアルインタフェース
- 400kHz/1.7MHz/3.4MHz I²C対応インタフェース
- 16MHz SPI/MICROWIRE対応インタフェース
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| セルラ基地局
| | フィードフォワードパワーアンプ
| | 産業用プロセス制御
| | マイクロ波無線リンク
| | トランスミッタ
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