- 業界トップクラスのダイナミック性能
- SFDR = 68dBc (fOUT = 1200MHzにおいて)
- ノイズ密度 = -162dBm/Hz (200MHzにおいて)
- 信号帯域幅:1GHz
- ナイキスト領域1、2、および3において高SNRおよび優れた利得平坦性
- 4:1のマルチプレックスLVDS入力(最高575MHz)
- 50Ωの差動出力終端内蔵
- 低電力:760mW (fCLK = 1000MHzにおいて)
- 11mm x 11mmの小型169ピンcsBGAパッケージ
- 評価キット入手可能(MAX19692EVKITを注文してください)
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| 任意波形発生器(AWG)
| | 自動試験装置
| | XバンドトランスミッタのディジタルIF生成
| | 広帯域RF信号(最高2GHz)の直接ディジタル生成
| | ダイレクトディジタル合成(DDS)
| | レーダ波形およびLO信号合成
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